搜索
SK Hynix 将于 2025 年采用 3 纳米工艺生产 HBM4 芯片
2024-12-04
SK海力士计划采用台积电的3纳米工艺生产第六代高带宽内存芯片HBM4，取代了原先5纳米技术的方案。SK海力士已与台积电签署合作备忘录，将共同开发HBM4。据《韩国经济日报》报道，这些芯片预计将于2025年下半年交付给英伟达。英伟达当前的GPU产品基于4纳米HBM芯片，对高性能显存有迫切需求。HBM4相比前代将提供更高的带宽和存储密度，能效也将优化，以满足市场对高性能计算的需求。
