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三星正在为未来的 16TB SSD 存储和 PCIe 5.0 性能准备 400 层 V-NAND
2024-12-05
三星V-NAND技术取得显著进步，已从十多年前的24层发展到接近300层。尽管面临巨大挑战，三星仍计划在NAND芯片中堆叠至少400层闪存单元，并预计将于2025年年底开始量产。这一技术突破将进一步提升存储密度和性能。
