英伟达提出了一项宏伟蓝图,计划打造未来AI加速器复合体。该复合体将采用大面积先进封装基板、革命性垂直供电设计和硅光子I/O器件。每个复合体包含四个GPU模块、六个小型DRAM内存模块和三组硅光子I/O器件,旨在大幅提升数据传输带宽和能效。然而,高度集成设计也引发了发热问题,英伟达计划通过整合冷板来解决。专家Ian Cutress预测,由于产能和技术挑战,这一AI加速器复合体最早可能在2028至2030年间问世。