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浙江大学集成电路学院张亦舒研究员团队研究成果：与CMOS后道工艺兼容的高性能自整流忆阻器
2024-12-19
浙江大学集成电路学院张亦舒研究员团队近日在Applied Physics Letters期刊上发表了一篇题为“Self-rectifying memristors with high rectification ratio and dynamic linearity for in-memory computing”的研究论文。该论文介绍了一种具有高整流比和动态线性度的自整流忆阻器(SRM)，用于存内计算。研究者选用了钨的氧化物WO₃以及high-K氧化物HfO2作为核心材料，简化了制备工艺，降低了工业成本。模拟结果表明，基于该SRM的交叉阵列可实现超过21 Gbit的阵列规模，人工突触展示了高达0.9973的线性度。该成果为突破存储器件密度限制和推动神经形态计算的发展开辟了新的途径，为未来极低电路开销的超高效能硬件提供了指导。
