搜索
基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展
2024-12-22
微电子所刘新宇研究员团队携手青禾晶元公司、南京电子器件研究所，基于新型6英寸SiC复合衬底，成功研发出高性能且成本更低的1200V SiC MOSFET。该成果通过有效利用低质量衬底，预计降低成本40%，同时保持了高性能和可靠性。
