搜索
光操控反铁磁材料实现磁态转换
2024-12-23
科研团队利用太赫兹激光，在反铁磁材料FePS3中成功实现磁态转换。这一突破有望对内存芯片技术产生深远影响。反铁磁体材料能制成更小、更节能且抗干扰能力强的内存芯片。实验显示，在临界温度下，FePS3材料可转变为反铁磁相，并在激光关闭后保持数毫秒的持久磁态。这一成果为开发更高效、更小的电子元器件开辟了新途径。
