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华虹宏力“Nord闪存及Nord闪存电性参数的测试方法”专利公布
2024-12-24
上海华虹宏力半导体制造有限公司公布了一项名为“Nord闪存及Nord闪存电性参数的测试方法”的专利，申请公布号为CN118973262A，公布日期为2024年11月15日。该专利涉及在闪存器件上形成存储结构、连接区和外围电路，通过施加电压测试控制栅层与浮栅层的耦合系数等参数，同时监控层间介质层质量。
