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纳秒级写入、超万亿次擦写 中国公司实现SOT-MRAM存储关键突破
2024-12-26
在IEDM第70届年度会议上，浙江驰拓科技宣布了SOT-MRAM技术的重大突破，成功解决了大规模生产的难题。他们提出的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构，简化了工艺并提升了良率，实现了2纳秒写入速度和超万亿次擦写操作，满足大规模制造要求。
