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青禾晶元与合作伙伴成功研发1200V SiC MOSFET

2024-12-27

青禾晶元公司与中科院微电子所及南京电子器件研究所合作，成功研发出基于6英寸Emerald-SiC复合衬底的高性能低成本1200V SiC MOSFET。该成果在第70届国际电子器件大会（IEDM 2024）上以口头报告形式发布。

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