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科研团队研发成功制备晶圆级高性能储能薄膜
12 小时前
沈阳材料科学国家研究中心胡卫进研究员团队研发出一种“闪速退火”工艺，其热处理升降温速率高达每秒1000摄氏度，即一秒内完成“冰火淬炼”。利用该工艺，团队仅用1秒便在硅晶圆上成功制备出“锆酸铅”弛豫反铁电薄膜。此工艺操作简便，易于扩大生产规模，为芯片级集成储能提供了具有工业化潜力的解决方案。相关研究成果已在《科学进展》上发表。该工艺通过将材料在高温下的特殊结构“冻结”至室温，形成纳米微畴，使薄膜结构致密均匀，有效锁住铅元素，从而将薄膜电容器的储能密度提升至63.5焦耳每立方厘米。此外，用该工艺制造的薄膜电容器环境适应性极佳，在极端温度条件下，其储能密度和效率衰减极小。此前，电介质储能电容器在保持强大储能能力、经受极端温度考验以及大规模生产方面面临难题，传统方法复杂，限制了高性能电介质薄膜的大规模制造。
