英特尔晶圆代工与阿斯麦宣布,双方正加速推进高数值孔径(High NA)极紫外光刻(EUV)技术的量产应用。英特尔已利用早期设备完成研发、部分量产环节,处理晶圆超100万片。目前,高NA EUV技术已应用于英特尔酷睿Ultra 3系列处理器“Panther Lake”部分层的量产。英特尔称,采用该技术的18A制程产品,性能达到或超越使用传统0.33数值孔径EUV光刻平台的同类层。未来,双方还将推动光罩尺寸从6英寸向6×12英寸过渡,并通过光罩拼接技术,使客户在现有条件下也能获得高NA EUV的部分优势。
