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闪迪新专利：将 NAND 闪存堆叠在计算芯片下方，破解存储瓶颈
6 小时前
人工智能行业算力需求大增，凸显存储性能瓶颈，DRAM与NAND闪存厂商需寻求技术突破。HBM面临产能短缺、单堆容量有限及芯片间传输延迟等问题，NAND闪存虽成本低、容量大，但传输速度较慢。闪迪公布了高带宽闪存（HBF）技术，采用类似HBM的分层架构，单堆容量最高可达4TB。其最新专利提出3D堆叠架构，将搭载CMOS键合阵列（CBA）的NAND闪存存储裸片堆叠在主计算裸片下方，同一中介层搭载HBM DRAM，分工明确，HBM处理低延迟高优先级任务，NAND负责大容量数据读写，通过宽通道互联降低延迟、成本和功耗。不过，该专利目前仅停留在理论阶段，量产需解决功耗控制、制造成本等难题，闪迪能否将前沿架构转化为量产产品尚不确定。
