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1、11座投资桂冠待摘！2026 IC风云榜投资奖项火热申报
2、AI浪潮席卷SEMICON Taiwan，盛美半导体FOPLP设备推动先进封装新发展
3、徐直军卸任海思半导体董事长，高戟接任
4、2025集成电路产业创新展：全链条协同攻坚，迈向自主可控新征程
5、机构：先进封装市场2030年将超过794亿美元，中国大陆至少七座厂同步推进
6、SIA：7月全球半导体销售额同比增长20.6%，中国增长10.4%
7、机构：上半年全球高端智能手机销量增长8%创历史新高，小米位列第三
1、11座投资桂冠待摘！2026 IC风云榜投资奖项火热申报
“2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼”已正式开启申报工作，这场备受期待的行业盛会由半导体投资联盟主办、爱集微承办，将于12月20日-22日在上海盛大启幕。本届年会以“AI赋能・共筑未来——技术创新与产业融合之路”为主题，聚焦人工智能与大模型在半导体产业中的深度融合与产业落地，以全球视角审视宏观局势，集中探讨投资策略，并深刻洞察半导体产业的演变趋势及未来潜在机遇，构建一个汇聚全球半导体领域学者、政策专家、投资先锋、合作伙伴及行业领袖的沟通桥梁。
奖项申报入口
IC风云榜聚焦新时代环境下中国集成电路产业最具经营智慧的风云企业，根据市场、学研、资方、品牌等多维度可靠数据，秉持客观真实、公正公开、范围广泛的原则，通过公开征集、自愿申报、专家评选等程序，严格遴选出行业年度优秀人物、机构、企业与品牌，以此树立行业标杆，展现行业格局，激发企业创新潜能，厚植产业创新沃土。目前，IC风云榜已成功举办六届，一路见证中国半导体产业升级，始终致力于激发产业创新活力，培育创新发展沃土，为我国半导体行业的繁荣发展注入源源不断的动力！
为了覆盖半导体行业内更全面、更专业的优质企业及机构，2026年IC风云榜在延续过往专业评选维度的基础上，进一步扩容升级，设立三大类，73项重磅大奖，覆盖投资、上市公司、市场、AI、具身智能、职场、知识产权、汽车、海外市场九大核心领域，全方位挖掘半导体产业各赛道的标杆力量。新增年度最佳行业投资机构奖（AI）、年度最佳行业投资机构奖（具身智能），31个细分领域上市公司奖项，以及具身智能和AI两大前沿科技赛道奖项，旨在表彰在这些关键领域中表现卓越的机构与企业，推动科技创新与产业深度融合，引领行业未来发展方向。本届IC风云榜的全部奖项列表请查看官网。
2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼官网
半导体行业的发展，离不开企业在技术创新、市场突破、产品创新等方面取得显著成就，也离不开投资机构在资本方面的鼎力支持。本届年会特别设立11大投资类奖项，它们分别是——年度最佳投资机构奖、年度最佳产业投资机构奖、年度最佳早期投资机构奖、年度最佳国资投资机构奖、年度最佳行业投资机构奖（AI）、年度最佳行业投资机构奖（具身智能）、年度最佳并购案例奖、年度最佳新锐投资机构奖、年度中国最佳投资人奖、年度最佳产业投资人奖、年度最佳早期投资人奖，旨在表彰在相应领域表现卓越、贡献突出，通过IPO或并购等途径实现出色退出回报、成功塑造产业闭环，以及通过并购整合推动产业链重构、赋能企业跨越式发展的优秀投资力量。
以上所有奖项申报流程：
2025年9月1日（星期一）：启动报名
2025年10月8日（星期三）：开启报名公司的采访、撰稿与宣传
2025年12月9日（星期二）：报名截止，公布候选名单
2025年12月8日-12月12日（星期一-星期五）：评委会投票
2025年12月底（星期五）：奖项将在“半导体投资年会”现场颁奖
奖项申报邮箱：将填好的申报表发送至fid@ijiwei.com
年度最佳投资机构奖
旨在表彰专注半导体并在本年度做出突出贡献、贡献了最多资本与技术、投向更多半导体新兴企业的头部机构。
报名条件：
1、半导体领域投资项目占总投资项目的40%以上；
2、基金管理规模不低于10亿人民币；
3、成立时间≥3年。
评选标准：
1、本年度IPO数量10%；
2、管理资金规模20%；
3、投资项目个数（年度）40%；
4、投资项目总金额（年度）20%；
5、行业影响力10%。
年度最佳产业投资机构奖
旨在表彰本年度在产业赋能和协同发展方面表现优异的产业投资机构。
报名条件：
1、拥有可依托的产业资源，在上下游产业链的布局和投资规模超过机构规模30%；
2、基金管理规模不低于30亿人民币。
评选标准：
1、本年度IPO数量10%；
2、管理资金规模15%；
3、投资项目个数（年度）15%；
4、投资项目总金额（年度）10%；
5、行业影响力20%；
6、投资标的与该集团产业配合度（所投企业数量与自身生态链匹配度）30%。
年度最佳国资投资机构奖
国有资本天然的使命感和长期性，使其成为了具有中国特色的资本力量，在促进产业融合的过程中发挥着举足轻重的作用，旨在表彰在半导体领域发挥了重大作用的优秀国有资本控股投资机构。
报名条件：
1、国有资本股份构成≥50%；
2、具有跨地域的投资自由度，并坚持市场化运营；
3、基金管理规模不低于10亿元人民币。
评选标准：
1、本年度IPO数量10%；
2、管理资金规模15%；
3、投资项目个数（年度）20%；
4、投资项目总金额（年度）15%；
5、行业影响力20%；
6、跨区域投资项目占比20%。
年度最佳早期投资机构奖
半导体行业细分领域众多、专业性强且技术壁垒很高，存在投入大、周期长、风险高的投资特点，对专注早期投资的投资机构，是行业理解力、趋势判断力、技术评估力、资源整合力等综合能力的挑战和考验。“年度最佳早期投资机构奖”旨在表彰本年度在半导体早期投资领域表现优异的投资机构。
报名条件：
1、专注半导体早期投资，普遍以领投形式参与企业A轮及以前轮次融资；
2、基金管理规模不低于10亿人民币。
评选标准：
1、本年度IPO数量10%；
2、管理资金规模10%；
3、投资项目个数（年度）20%；
4、投资项目总金额（年度）15%；
5、行业影响力15%；
6、投资阶段（A轮及以前的所投项目数量占比）30%。
年度最佳新锐投资机构奖
新兴投资机构是半导体投资领域的新生力量和市场主体，通常具有灵活性强、投资周期短、成长性高等特点，在产业孵化、产业链完善、加快技术扩散等方面具有较强的社会效用。“最佳新锐投资机构奖”旨在表彰本年度涌现出在半导体投资领域成长快速的新兴投资机构。
报名条件：
1、创业团队有着良好的技术与产业背景，在细分领域或赛道竞争优势明显；
2、所投项目得到市场验证，取得知名机构的集中跟投（注：不包括上市公司及进入上市辅导企业）。
评选标准：
1、本年度IPO数量5%；
2、管理资金规模10%；
3、投资项目个数（年度）25%；
4、投资项目总金额（年度）20%；
5、行业影响力10%；
6、“投资优秀案例（营收超8000万）占总投项目比例50%，募资金额较上年增速50%”——30%。
年度最佳行业投资机构奖（AI）
产业发展与行业发展相辅相成，专精细分领域的投资机构往往在支持企业成长方面做出了较大贡献。“最佳行业投资机构奖（AI类）”旨在表彰本年度在AI及具身智能领域做出突出成绩，极大助力行业发展的的优秀投资机构。
报名条件：
1、专注AI类投资，投资AI类标的占总投资标的数量30%以上，普遍以领投形式参与企业融资；
2、基金管理规模不低于4亿人民币。
评选标准：
1、本年度IPO数量10%；
2、管理资金规模15%；
3、投资项目个数（年度）20%；
4、投资项目总金额（年度）15%；
5、行业影响力20%；
6、投向为AI类企业占比20%。
年度最佳行业投资机构奖（具身智能）
旨在表彰本年度在AI及具身智能领域做出突出成绩，极大助力行业发展的的优秀投资机构。
报名条件：
1、专注具身智能类投资，标的占总投资标的数量30%以上，普遍以领投形式参与企业融资；
2、基金管理规模不低于5亿人民币。
评选标准：
1、本年度IPO数量10%；
2、管理资金规模15%；
3、投资项目个数（年度）20%；
4、投资项目总金额（年度）15%；
5、行业影响力20%；
6、投向为具身智能类企业占比20%。
年度最佳并购案例奖
旨在鼓励和表彰本年度凭借深刻行业洞察能力、过硬资本运作能力、出色投资能力在半导体投资领域进行并购整合，为行业做出突出贡献的优秀机构。
报名条件：
1、聚焦半导体领域投资，能准确把握行业并购整合趋势，具备优秀投资能力和优异投资业绩；
2、年度并购案例≥1个。
评选标准：
1、投资路径的独特性和创新性30%；
2、并购方案可行性高且运作高效20%；
3、参与并购项目数量30%；
4、参与并购项目规模20%。
年度中国最佳投资人奖
旨在鼓励和表彰本年度凭借深刻行业洞察能力、过硬资本运作能力、出色投资能力在半导体投资领域取得优异成绩、为中国半导体行业发展做出突出贡献的优秀投资人。
报名条件：
1、聚焦半导体领域投资，能准确把握行业发展趋势，具备优秀投资能力和优异投资业绩；
2、机构合伙人或同等级别及以上管理者。
评选标准：
1、投资企业数量30%；
2、投资金额20%；
3、综合回报率30%；
4、行业影响力20%。
年度最佳产业投资人奖
旨在鼓励和表彰本年度深耕半导体产业，在“补链、强链、延链”方面做出突出贡献，凭借过硬投资能力在半导体投资领域取得较佳成绩、为半导体产业发展做出突出贡献的优秀投资人。
报名条件：
1、聚焦本集团核心产业，具备较高活跃度，具备优秀投资能力；
2、机构合伙人或同等级别及以上管理者；
3、本年度投资B轮及以后标的≥5家。
评选标准：
1、投资企业数量25%；
2、投资金额15%；
3、综合回报率20%；
4、行业影响力20%；
5、投资标的与该集团产业配合度（所投企业数量与自身生态链匹配度）20%。
年度最佳早期投资人奖
科技改变世界，资本则需要通过早期投资人去服务科技，鼓励创新，分散风险，推动社会进步。“最佳早期投资人奖”旨在鼓励和表彰本年度将资本和产业资源重点投向早期企业并取得较大成就的投资人。
报名条件：
1、聚焦半导体领域早期投资，能准确把握行业发展趋势，具备优秀投资能力和优异投资业绩；
2、机构合伙人或同等级别及以上管理者；
3、本年度投资A轮及以前标的≥5家。
评选标准：
1、投资企业数量25%；
2、投资金额15%；
3、综合回报率20%；
4、行业影响力20%；
5、投资阶段（A轮及以前的所投项目数量占比）20%。
2、AI浪潮席卷SEMICON Taiwan，盛美半导体FOPLP设备推动先进封装新发展
9月10日-12日，SEMICON Taiwan 2025在台北南港展览馆盛大举行，一场由人工智能（AI）芯片驱动，融合先进封装、3DIC、Chiplet与扇出型面板级先进封装（FOPLP）等前沿技术的创新浪潮席卷而来。在这场年度盛会上，盛美半导体全面展示了其在FOPLP设备领域的最新成果与战略布局。
AI芯片引爆需求 FOPLP或成未来封装技术新主流
在AI、高性能计算（HPC）、数据中心等新兴应用带动下，半导体先进封装风向转向，FOPLP有望接棒CoWoS，成为未来AI芯片封装新主流。现行CoWoS采用圆形基板，随着可置放的芯片越来越大，无法达到有限切割需求，若改由面板级封装的方形基板进行芯片封装，数量会比采用圆形基板多数倍，达到更高的利用率，并大幅降低成本，使得FOPLP成为半导体先进封装新显学。
盛美半导体董事长王晖博士表示：“先进封装对于满足低延迟、高带宽和高性价比半导体芯片的需求越来越重要。扇出型面板级封装（FOPLP）能够提供高带宽和高密度的芯片互连，因此具有更大的发展潜力，此方法正在迅速成为关键解决方案，它将多个芯片、无源器件和互连集成在面板上的单个封装内，可提供更高的灵活性、可扩展性以及成本效益。”
从市场规模来看，据Yole预测，扇出型面板级封装（FOPLP）方法的应用增长速度高于扇出市场整体增长速度，其市场份额相较于扇出型晶圆级封装（FOWLP）而言将从2022年的2%上升至2028年的8%。“这一增长背后的主要动力是成本的降低，传统硅晶圆的使用率低于85%，而面板的使用率高于95%，600x600毫米面板的有效面积是300毫米传统硅晶圆有效面积的5.7倍，面板总体成本预计可降低66%。面积利用率的提高带来了更高的产能、更大的AI芯片设计灵活性以及显著的成本降低。”王晖博士说道。
在这一进程中，半导体设备作为其中关键一环前景广阔，盛美半导体敏锐地洞察到这一趋势，凭借丰富的技术和工艺积累，积极布局FOPLP领域，不断丰富产品线，致力于为全球集成电路行业提供先进的设备及工艺解决方案。
盛美半导体董事长王晖博士
解决电镀工艺难题 盛美半导体面板级电镀设备实现突破
在本次SEMICON Taiwan 2025上，王晖博士在主题为《面向AI芯片的先进封装FOPLP与电镀技术的机遇与挑战》分享中全面展示了盛美半导体在FOPLP领域的最新突破与成果。
从技术上来看，FOPLP的高精度工艺注定其对设备要求极高，尤其是在光刻、电镀和层压工艺环节。以电镀工艺为例，目前面临着诸多难题：在高深宽比TSV和细间距RDL结构中，电镀液浸润不均与电流分布不匀易导致镀层厚度差异，影响芯片性能；多材料电镀（如Cu、Ni、SnAg）时易发生槽间交叉污染；此外，硅、玻璃、环氧树脂等基材的热膨胀系数差异可能引起面板翘曲，进而破坏电镀均匀性。实现FOPLP的大规模量产，攻克电镀设备难关已成为当前的关键所在。盛美半导体基于多年技术积累推出的Ultra ECP ap-p面板级水平电镀设备解决了电镀工艺的难题，实现了多项技术创新。
盛美半导体Ultra ECP ap-p面板级电镀设备
据王晖博士介绍，与传统的垂直电镀解决方案不同，盛美半导体的Ultra ECP ap-p面板级电镀设备创新性地采用了水平（平面）电镀方式，利用旋转的方式，搭配独立的多阳极控制，能够更好地控制电镀均匀性；同时能够实现面板传输过程中引起的槽体间污染控制，大大降低了不同种金属之间离子交叉污染的风险，可作为具有亚微米RDL和微柱的大型面板的理想选择。该设备可加工尺寸高达515x510毫米的面板，同时具有600x600毫米版本可供选择，公司现在正在开发310x310毫米面板的应用。该设备兼容有机基板和玻璃基板，可用于硅通孔（TSV）填充、铜柱、镍和锡银（SnAg）电镀、焊料凸块以及采用铜、镍、锡银和金电镀层的高密度扇出型（HDFO）产品。Ultra ECP ap-p面板级电镀设备采用盛美半导体自主研发的世界首创面板级水平电镀技术，可动态精确控制旋转中的整个面板的电场分布。该技术适用于各种制造工艺，可确保整个面板的电镀效果一致，从而确保面板内和面板之间的良好均匀性。得益于多重优势，盛美半导体Ultra ECP ap-p设备深获业界肯定，并于2025年3月拿下美国3D InCites协会颁发的“Technology Enablement Award”大奖
抢占先进封装新赛道 盛美半导体打造FOPLP设备产品矩阵
除了Ultra ECP ap-p面板级电镀设备外，盛美半导体还推出了Ultra C vac-p面板级负压清洗设备、Ultra C bev-p面板级边缘刻蚀设备两款面板级先进封装的新产品，助推AI芯片封装从传统的晶圆级封装向更高密度、更大尺寸的面板级封装转型。
盛美半导体Ultra C vac-p面板级负压清洗设备
王晖博士指出，“当节点尺寸小于40um时，传统的助焊剂清洗设备无法清洗干净，盛美半导体的负压助焊剂清洗技术创造性地解决了这一问题。”具体来看，Ultra C vac-p面板级负压清洗设备可处理510x515毫米和600x600毫米尺寸的面板以及高达7毫米的面板翘曲。利用负压技术去除芯片结构中的助焊剂残留物，可使清洗液到达狭窄的缝隙，显著提高了清洗效率，目前该设备已经在客户端实现量产。
盛美半导体Ultra C bev-p面板级边缘刻蚀设备
Ultra C bev-p面板级边缘刻蚀设备采用专为边缘刻蚀和铜残留清除而设计的湿法刻蚀工艺，在扇出型面板级封装技术中起到至关重要的作用。该工艺对于有效避免电气短路、最大限度降低污染风险、保持后续工艺步骤的完整性至关重要，有助于确保器件经久耐用。该设备的高效性主要得益于盛美半导体的专利技术，以应对方形面板衬底所带来的独特挑战。与传统的圆形晶圆不同，盛美半导体的独特设计可以实现精确的去边工艺，确保在翘曲面板的加工过程仅限于边缘区域。这一专利技术对于保持刻蚀工艺的完整性以及提供先进半导体技术所需的高性能和可靠性至关重要。
展望未来，王晖博士表示：“盛美半导体将持续秉持‘技术差异化、产品平台化、客户全球化’的发展战略，积极把握半导体产业变革机遇，以前瞻视角紧跟市场趋势，持续加大研发投入，加速全球化进程，未来计划在中国台湾建设研发生产基地，将研发和生产带到中国台湾；同时不断拓展和丰富产品矩阵，满足全球客户日益增长的差异化需求，致力于成为半导体设备领域具有全球影响力的创新引领者，通过一系列新产品的自主开发以及海内外并购，到2030年年销售超过200亿元人民币，目标跻身世界集成电路设备企业十强行列。”
3、徐直军卸任海思半导体董事长，高戟接任
天眼查信息显示，9月10日，深圳市海思半导体有限公司发生工商变更，徐直军卸任法定代表人、董事长，由高戟接任，同时，多位高管均发生变更。
据了解，深圳市海思半导体有限公司成立于2004年10月，前身是创建于1991年的华为集成电路设计中心，公司总部位于深圳，另在北京、上海等多地设有分部，已经成功开发出100多款自主知识产权的芯片，共申请专利500多项。
天眼查显示，该公司注册资本20亿人民币，经营范围为电子产品和通信信息产品的半导体设计、开发、销售及售后服务，相关半导体产品的代理，电子产品和通信信息产品器件和配套件的进出口业务。
股东信息显示，该公司由华为技术有限公司全资持股。
接任者高戟的背景未详细披露，有分析认为，这可能是华为内部正常的管理轮换机制的一部分，也可能预示着公司在半导体战略布局上将有新的方向。
据公开信息，徐直军自1993年加入华为，历任公司无线产品线总裁、战略与Marketing总裁、产品与解决方案总裁、产品投资评审委员会主任、公司轮值CEO及战略与发展委员会主任等重要职务。他最近一次担任华为轮值董事长的时间为2025年4月1日至2025年9月30日。
4、2025集成电路产业创新展：全链条协同攻坚，迈向自主可控新征程
2025年9月10日-12日，SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展在深圳国际会展中心（宝安新馆）成功举办。本届展会规模空前，全方位展示了半导体产业链从设计、制造、封装测试到设备、材料等领域的前沿技术与核心产品，成功打造了一个高效、专业的产业交流与合作平台，赢得了参展商、专业观众及行业领袖的广泛赞誉。
展会同期还举办了多场紧扣产业热点的技术论坛，覆盖第三代半导体、功率器件、EDA与设计、先进封装、设备与材料等关键领域。专家学者与企业领袖围绕碳化硅/氮化镓产业化、先进封装瓶颈、车规芯片生态建设、设备与零部件国产化等核心议题进行了深度研讨，为产业发展指明了创新方向与协作模式。
产业领袖齐聚 共话“芯未来”
在备受瞩目的第27届集成电路制造年会暨供应链创新发展大会上，中国集成电路创新联盟副理事长兼秘书长叶甜春在大会中指出，全球产业格局正从“一体化”向“多极化”深刻转变，供应链区域化重构趋势显著。在“后摩尔时代”，集成电路技术已逐步超越传统制程微缩，转向以架构革新、新材料体系和多学科协同为主要方向的创新阶段。人工智能已成为牵引整个产业发展的核心引擎，推动云计算、大数据、5G等领域与芯片技术深度融合，促使设计、制造和系统应用全面变革。
中国集成电路创新联盟副理事长兼秘书长叶甜春
叶甜春强调，面对国际环境的复杂性与技术瓶颈的双重挑战，中国需进一步发挥“新型举国体制”优势，聚焦系统级集成与生态构建，强化产业链上下游协同。尽管我国已初步建立完整产业体系，并在过去十余年依托国家重大专项、大基金、科创板等机制取得显著突破，但仍需持续补强短板、优化资源配置，逐步构建以国内大循环为主体、内外互促的芯片标准与产业生态。
沪硅产业集团常务副总裁李炜指出，硅片作为半导体制造的核心基础材料，曾长期面临“卡脖子”问题。2014年以来，在国家重点专项支持下，中国大陆实现了大尺寸硅片的产业化突破，初步形成本土供应能力。目前在晶体生长、超平坦抛光、外延工艺等关键技术领域已取得全面进展。但他也坦言，当前国内硅片行业仍面临企业数量多、资源分散、高端产品仍受制于人等挑战，亟需通过持续研发推动产品升级与产能协同，构建健康的国产硅片生态。沪硅产业正力争将原定2030年实现的材料与装备全国产化目标提前至2027年。
华大九天副总经理朱能勇分享了对EDA领域发展的观察。随着中国晶圆制造产能持续提升，制造类EDA迎来发展机遇，但也面临器件建模和工艺模拟复杂度攀升的挑战。该公司正通过软硬件协同与AI技术加速仿真验证，提升系统级设计效率。他指出，AI辅助设计已实现多项突破，展现出广泛的应用前景。
在设计与制造协同方面，朱能勇提出需实现从材料、器件到芯片和系统的全链路整合创新。华大九天通过关键路径分析、TNT测试反馈和快速建模工具，推动设计与制造的高效迭代。他强调，国产EDA工具必须与国际标准接轨，同时也应依托AI等技术走出创新突破的新路径。
北方华创营销总裁蒋中伟强调，装备技术是半导体创新的根本支撑。随着芯片尺寸持续微缩、新材料与新结构不断引入，装备研发需深度融合微电子、物理学等基础学科，同时加强零部件、软件系统等底层创新。他指出，人工智能正在成为提升装备精度、稳定性和生产效率的核心动力。北方华创正积极推动智能控制与工艺优化相结合，构建覆盖研发、制造与服务的全链条创新体系。
高端论坛把脉产业趋势，共商创新发展路径
在全球科技竞争与人工智能浪潮的双重推动下，中国半导体产业正以前所未有的力度和广度，在芯片设计、制造、设备、材料及先进封装等全产业链环节加速创新与协同，寻求自主可控的高质量发展路径。展会期间，一系列行业论坛集中展示了中国半导体产业在多领域取得的关键进展。
端侧AI崛起：架构创新与应用落地并进
面对AI算力需求的爆发式增长，芯片设计环节率先求变。华大九天高级解决方案总监杨祖声指出，引入大模型智能系统以提升EDA工具设计效率已成为行业迫切需求。在具体产品层面，国产AI芯片正加速落地。国芯科技推出的车规级AI MCU芯片CCR4001S，基于RISC-V架构并集成NPU，在安全关键应用中将推理时间缩短至3.2毫秒。增芯科技则提出感存算一体化的新范式，其国内唯一的12英寸MEMS+ASIC制造平台有望改变传感器生产依赖进口的现状。
实现技术普惠是产业发展的最终目标。云天励飞已完成5代边缘AI芯片迭代，最新产品支持140亿参数大模型部署，并实现了全链路国产化。铨兴科技的“AI Link超微显存融合技术”可将训练成本降低90%，并计划在2026年推出万元级200B参数AI PC，极大降低大模型应用门槛。万兴科技则从软件工具层面赋能，将其解决方案能将芯片研发文档制作时间从2天缩短至2小时，显著提升协同效率。
地方政府也积极为产业创新提供沃土。南通市海门区副区长王一兵介绍了包括为博士人才提供每月6000元补助在内的多项政策，区内已集聚39家机器人企业并拥有江苏省最大算力中心，构建了良好的产业生态。
第三代半导体：设备与核心零部件国产化提速
第三代半导体是未来能源、交通、通信产业升级的核心。其产业链正从高纯气体、密封圈标准，到关键设备，迎来全面的创新机遇。
清华大学集成电路学院副教授田禾分享了与日本大金的联合研究，证实使用7N级高纯气体能获得更优的刻蚀效果，其团队还对O型圈进行了系统测试，致力于建立行业标准。盛美半导体宣布其电镀设备将不均匀度从8.2%降至3.5%，第三代半导体镀金设备均匀性小于5%并已量产。华工激光的碳化硅背晶退火设备效率达18片/小时（6英寸），其皮秒、飞秒激光器实现了国产替代。智谷精工的Ultra-P&P抛光技术将传统7小时的流程压缩至1小时，表面粗糙度达0.1纳米。
北方华创化合物行业副总张霆宇指出，2027年前是碳化硅设备的窗口期，产业正从6英寸向8英寸升级。然而，挑战依然存在。上海优园科技总经理陈跃楠表示，2024年大陆半导体设备国产化率约21%，但光刻、离子注入等高端设备及核心零部件国产化空间巨大，仍需持续攻坚。
材料与制备工艺协同：攻坚碳化硅产业化核心瓶颈
在第三代半导体关键材料与制备工艺协同创新论坛上，碳化硅材料的成本与良率成为焦点。重投天科半导体经理杨占伟指出，衬底和外延环节占碳化硅器件总成本的70%，是天堑也是机遇。通过一体化生产可缩短流程、提升良率并实现缺陷溯源。河北普兴电子已实现6英寸外延厚度均匀性≤1.5%，并完成8英寸工艺开发。哈尔滨科友半导体董事长赵丽丽强调，12英寸衬底是未来竞争焦点，需通过设备创新与热场复用技术降低成本。
检测技术的创新也为提升良率提供了支撑。大连创锐光谱总经理陈俞忠介绍了新型瞬态光谱检测技术，可对碳化硅位错缺陷进行无损、快速检测，避免传统方法低估缺陷的问题，为工艺优化提供关键数据。山西烁科晶体经理刘晓星分析认为，虽然当前衬底环节普遍亏损，但随着8英寸产能扩张和12英寸技术突破，具备技术和资本优势的企业将最终胜出。
南方科技大学助理教授赵前程展示了绝缘体上磷化镓（GaP-on-Insulator）平台在非线性集成光子器件中的创新应用。该技术通过异质集成实现低损耗、高非线性响应的波导与微腔器件，在光通信、量子计算等领域具有广阔前景。
先进封装与TGV技术：破解后摩尔时代性能瓶颈
随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装成为提升芯片性能的关键。沃格光电指出，传统有机基板已难以满足AI大算力芯片需求，玻璃基板在耐热性、平整度上优势显著，其纯玻璃堆叠结构可减少40%层数并提升信号完整性。佛智芯微电子董事长崔成强透露，玻璃与铜的结合力已提升至15牛顿，满足5μm细线路要求，并预计玻璃基板将在2027-2028年实现量产。
华进半导体邓建成博士提出了“晶上系统集成”新思路，可提供高达7万平方毫米的超大载体，使算力提升1-2个数量级。天成先进半导体市场总监蔡云豪指出，先进封装正从2.5D向2.5D+3D演进，CoWoS技术可使5纳米芯片获得3纳米性能并降低成本40%，而光电共封（CPO）技术将成为突破带宽瓶颈的关键。鸿骐芯智能则聚焦植球工艺，其全球首创的喷射式植球技术支持每秒80-300颗的高速作业，为先进封装把好“最后一关”。
功率半导体：产学研用共推器件创新与国产替代
在功率半导体论坛上，产学研各界代表围绕氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）展开了深入探讨。红与蓝电子分享了基于氮化镓的小功率软开关逆变器设计方案，已实现650V产品量产。英诺赛科全电压氮化镓产品累计出货已突破15亿颗，广泛应用于光伏、储能、数据中心及车载领域。纳微半导体则展示了其基于GaN与SiC的AC-DC解决方案，以应对AI数据中心爆发的能源危机。
浙江大学陈敏教授分享了埋入式SiC功率模块集成封装技术，通过降低寄生电感和热阻，显著提升了模块功率密度和可靠性。陕西宇腾电子指出国产氮化镓外延片参数已达行业中上水平，正逐步实现进口替代。京航特碳的产品经理牟乔乔聚焦于离子注入机中的高纯石墨件，通过工艺创新，国产产品在纯度、密度上已媲美进口，正积极推动替代进程。
国家第三代半导体技术创新（深圳）平湖实验室的左正博士在总结中介绍了该平台作为国家级公共技术平台的服务定位，其8英寸SiC/GaN中试线提供全链条开放服务，旨在降低企业研发成本，加速国产芯片产业化。
制造核心设备与材料：国产化替代成果显著
半导体制造核心设备与材料发展论坛则集中展示了在关键环节的国产化替代成果。华海清科介绍了其晶圆边缘抛光设备与技术，应对先进封装中的边缘剥落和裂纹挑战。苏州天准科技和御微半导体分别分享了在明场纳米图形缺陷检测和宏观缺陷检测设备上的突破，后者设备出货量已超170台，获得市场高度认可。
在材料与零部件方面，3M中国展示了其CMP材料的本地化生产能力，上海润平电子则详细介绍了在CMP抛光垫、抛光头等零部件及材料上的全链条自主突破。广州友思特科技和哈科迪兆声波公司分别带来了高功率UV LED光源和兆声波清洗技术的国产化解决方案，为高端芯片制造提供了新的选择。
半导体分析测试设备：聚焦关键技术推动产业高质量发展
在半导体分析测试应用与设备联动发展论坛，厦门大学教授、中国自动化学会常务理事刘暾东教授以《晶圆缺陷检测的异构并行加速方法研究与实现》为题作开场报告，从算法与算力协同角度提出提升检测效率的新路径。国家第三代半导体技术创新中心（深圳）的李齐治分享了基于二次离子质谱的GaN材料分析技术，展示了先进表征工具对第三代半导体研发的推动作用。
多家企业代表分享了创新解决方案。天芯互联科技潘飞探讨了封装测试环节的MLO及垂直探针卡设计，提升芯片互联可靠性；深圳八六三新材料张智寰解析了316L不锈钢超净表面检测策略；上海微崇半导体周朴希介绍了二谐波光学检测技术，实现测量精度突破；爱美克空气过滤器朱林卿阐述了洁净环境对芯片良率的关键作用；埃芯半导体黄怡展示了国产量检测设备在先进制造和封装领域的应用能力。
论坛有效促进了“产、学、研、用”深度融合。与会专家认为，分析测试技术与生产设备的协同创新将是推动半导体产业迈向更高水平的关键动力。
值得关注的是，本届展会还精心组织了一系列聚焦产业深度融合与高端资源对接的特色活动，包括旨在促进区域产业集聚的“走进园区，海门对接会”，以及推动产学研协同创新的“示范性微电子学院产学融合发展联盟理事会暨研讨会”、促进资本与产业精准对接的“集成电路投资创新联盟理事会”等高层次闭门会议。
产业生态汇聚融合，创新活力持续迸发
本次展会吸引了超过1000家国内外优质企业参展，汇聚了从材料、设备、EDA、制造到终端应用等全产业链的代表力量。
芯片设计领域，紫光展锐、中兴微电子、兆芯、北京君正、苏州国芯、芯原股份等企业集中亮相；制造与封测环节，华虹半导体、武汉新芯、增芯科技、通富微电等带来先进工艺与解决方案；半导体设备与材料厂商踊跃参与，北方华创、中微公司、盛美上海、华海清科、拓荆科技、芯源微、中科飞测等设备巨头，以及沪硅产业、江丰电子、安集科技、上海新阳、中船特气、南大光电等材料企业，共同展示关键环节的国产化进展与技术创新。
本届展会不仅聚焦大型企业，也涌现出一批在细分领域表现卓越的专精特新力量，如苏州天准、华卓精科、御微半导体、日联科技、烁科晶体、普兴电子等，它们在检测、零部件、传感器、晶体生长等环节展现出突破性成果。此外，季华实验室、示范性微电子学院产学融合发展联盟、集成电路材料创新联合体、中国汽车芯片产业创新战略联盟、国家第三代半导体技术创新中心（深圳）等重要产业平台与联盟也积极参与，有效推动了“产学研用”各界的资源对接与协同创新。
多家企业借展会平台发布了重磅新品与解决方案。例如，华大九天演示了其全定制设计生态平台在AI赋能EDA方面的进展，增芯科技首次公开其12英寸MEMS+ASIC晶圆制造平台技术细节，比亚迪半导体、瑞能半导体等则带来面向新能源汽车、能源管理的功率半导体解决方案。设备厂商如中科飞测、沈阳科仪、新松半导体、京仪装备等纷纷展出最新型号的测量、真空、自动化及专用工艺设备，材料企业如新莱集团、安集科技、上海新阳等亦突出展示了其高纯产品、抛光液及光刻机的能力，彰显了产业强大的创新活力。
展会现场人流如织，专业观众在各个展台前驻足交流，了解最新技术进展和产品信息。企业代表通过产品展示、技术讲解和现场演示等方式，全面展现中国半导体产业链各环节的创新成果。
整体而言，2025集成电路产业创新展不仅为全球半导体产业提供了一个洞察趋势、洽谈合作、寻觅商机的宝贵平台，更全面呈现了中国半导体产业链的韧性与创新实力，展现了产业在应对全球竞争与技术变革中，正通过全链条协同攻坚，稳步迈向自主可控的高质量发展新征程。
5、机构：先进封装市场2030年将超过794亿美元，中国大陆至少七座厂同步推进
市场调查机构Yole Group的数据显示，2024年先进封装市场达到460亿美元，较2023年回暖后同比增长19%。Yole Group预计市场将在2030年超过794亿美元，2024-2030年复合年增长率（CAGR）达9.5%，AI与高性能计算需求成为复苏周期主要驱动力。
Yole Group强调，先进封装正成为推动市场扩张的核心基石。从2024年到2025年，先进封装市场在多个应用领域进一步巩固了其战略地位。曾经仅应用于特定高端产品，如今已成为消费电子大规模应用的支柱技术，同时也为AR/VR、边缘AI、航空航天及国防等新兴市场提供关键支撑。
Yole Group指出，2024年先进封装厂商排名揭示了市场格局的深刻变化：IDM厂商占据主导地位，其中包括英特尔（Intel）、索尼（Sony）、三星（Samsung）、长江存储（YMTC）与SK海力士（SK Hynix）；其次是OSAT厂商和晶圆代工企业，如台积电（TSMC）。与此同时，存储厂商的崛起以及企业多元化产品组合的策略也正在重塑全球前十格局。
Yole Group表示，这一市场重构得益于一波前所未有的投资浪潮。中国大陆方面，甬矽电子、菱生与南茂科技等厂商加码投资，巩固在中国大陆的业务版图；长电科技宣布投资15亿美元，强化本土先进封装能力；南京华天科技启动二期扩建计划，总投资高达100亿元人民币（约14亿美元）；通富微电公布总额为75亿元人民币（约10亿美元）的先进封装项目，涵盖倒装芯片、多层堆叠、晶圆级封装（WLP）与面板级封装（PLP），预计于2029年完工；江苏、湖北等地区至少有七座新建先进封装工厂在同步推进，显示中国大陆正迈向产能自主化与规模化的长期战略目标。
6、SIA：7月全球半导体销售额同比增长20.6%，中国增长10.4%
近日，美国半导体行业协会（SIA）宣布，2025年7月全球半导体销售额为621亿美元，比2024年7月的515亿美元增长20.6%，比2025年6月的599亿美元增长3.6%。
SIA总裁兼首席执行官John Neuffer表示：“7月份全球半导体销售保持强劲，超过6月份的业绩，远远超过去年7月份。增长继续受到亚太地区和美洲强劲需求的推动。”
从地区来看，7月份亚太/所有其他地区（35.6%）、美洲（29.3%）、中国（10.4%）和欧洲（5.7%）的销量同比增长，但日本（-6.3%）的销量下降。7月份，美洲和亚太/所有其他地区的销量环比增长（8.6%），欧洲保持稳定（0.0%），日本和中国的销量分别下降（-0.2%）和-1.3%)。
7、机构：上半年全球高端智能手机销量增长8%创历史新高，小米位列第三
根据Counterpoint Research发布的报告，2025年上半年全球高端（>$600）智能手机销量同比增长8%，创上半年历史新高，增速高于同期仅同比增长4%的全球智能手机总市场。
从厂商来看，苹果同比增长3%，以超过62%的份额领跑，增长主要来自新兴市场。三星以7%的同比增速位居其后，其S25系列表现优于S24，带动其增长。小米排名第三，同比大增55%，主要增量来自中国；其高端电动汽车发布的光环效应正反哺手机业务。谷歌时隔五年重返高端智能手机品牌前五，在Pixel 9系列的强势表现、向新市场扩张及更积极营销带动下，其销量同比翻番。Counterpoint指出，凭借忠诚用户群与强大的线下覆盖率，华为在中国仍极具吸引力，并通过诸如三折叠Mate XT等独特设计机型，不断收复份额并赢得消费者的青睐。
从国家/地区层面看，前十大高端市场贡献了该细分市场近80%的销售额，其中印度以同步37%的增长成为增速最快的市场，主要由苹果的良好表现与便捷融资推动，显著扩大了高端设备的可及人群。就绝对数量而言，作为全球最大的高端市场的中国仍是增长的最大贡献者。
在AI方面，具备生成式 AI（GenAI）能力的设备在2025年上半年占高端智能手机销售的80%以上。高端消费者持续青睐前沿创新，各品牌也在将GenAI打造成该细分市场的下一代关键差异因素。随着硬件差距的缩小，消费者的选择将越来越依赖于AI生态系统。
