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1、承接巨头战略退场，慧智微再以“中国芯”证明高端射频“同时同质”能力
2、厦门士兰微项目总指挥：12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线今年底动工
3、芯联集成发布全新碳化硅G2.0技术平台 重点覆盖新能源和AI数据中心电源
1、承接巨头战略退场，慧智微再以“中国芯”证明高端射频“同时同质”能力
2025年“中国芯”集成电路产业促进大会暨第二十届“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式，于11月13-14日在横琴天沐琴台会议中心隆重举行。
二十年砥砺奋进，二十载芯火相传。2025年，“中国芯”优秀产品征集活动迎来创办二十周年的重要里程碑。本届大会阵容强大，汇聚集成电路领域顶尖专家与领军企业代表，聚焦前沿技术突破、产业生态建设与创新应用实践，全力打造高规格、高水平的国家级集成电路产业交流平台。
中国工程院院士邓中翰、中国工程院院士罗毅、马来西亚微电子系统研究院院士、东盟工程技术科学院院士许达维等重要嘉宾出席大会。并发表主旨演讲。
图：第二十届“中国芯”
“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式中，广州慧智微电子股份有限公司（简称“慧智微”）的“Phase8L NSA/SA 5G高集成度L-PAMiD射频前端模组/S55051”作为射频前端模组赛道唯一企业，获评2025年“中国芯”优秀技术创新产品。
图：广州慧智微电子股份有限公司获评2025年“中国芯”优秀技术创新产品
Phase8L NSA/SA 5G高集成度L-PAMiD射频前端模组是应用于高端/旗舰手机的最新射频前端解决方案，产品具备高端/旗舰手机所需要的SA、NSA等完整功能，并具备小型化、高集成的特点，代表当前手机终端最高集成度。目前仅有中国慧智微与美国Qorvo两家公司，可以提供支持MTK、高通全平台的相应产品。
这枚“中国芯”的获奖，正值美国射频巨头Skyworks与Qorvo宣布合并并战略收缩安卓市场之际。奖项背后，是一个更具战略意义的信号：慧智微不仅再次实现了高端射频前端模组的“同时同质”突破，更已成为国际巨头退潮后，高端/旗舰安卓市场最具实力的技术承接者与供应链保障者。
一、收缩与真空：巨头退场留下的战略机遇
近日来，射频行业最大的新闻莫过于Skyworks、Qorvo两家巨头的合并。这两家长期在全球射频前端市场中排名第一、第二的企业，于2025年10月28日正式发布公告，宣布合并。
与以往的合并不同，Skyworks与Qorvo两家巨头的这次重组，并非强强联合，而是战略收缩与抱团取暖。回顾Qorvo与Skyworks近年的动向——退出低毛利业务、关闭中国封测工厂、持续缩减中低端产品线——其合并公告中“巩固移动、拓展国防与AI”的表述，清晰地指向了 “放弃低利，聚焦顶级” 的战略收缩。
这一转变，瞬间将中国手机产业置于聚光灯下。高端/旗舰手机一般选择L-PAMiD及L-PAMiF高集成射频前端模组进行设计，并且向All-in-one全集成方案进行演进。技术难度逐步提高。
过去，中国手机厂商的高端/旗舰解决方案尚可在Skyworks、Qorvo等几家巨头间周旋。未来，在决定旗舰手机通信性能的Sub-3GHz L-PAMiD等高集成模组上，选择将变得极为有限，供应链风险高度集中。巨头的退场，在广阔的安卓旗舰市场留下了一片亟待填补的 “高端真空”，因为国际射频前端厂商的重组与合并，带来的供应链危机已然降临。
图：射频前端方案的技术难度
二、破局与承接：“同时同质”的供应能力
真正填补真空，需要的是对等的实力，可以与国际厂商“同时同质”推出最新方案。
所谓 “同时同质” ，即在与国际巨头相同的时间节点，推出性能与质量相当的产品。这样才能给客户在提供出真正的选项，使客户采购策略制定时不再受制于国际巨头。
“同时同质”的产品推出，不仅是客户的期盼，更是对参与者技术底蕴、市场洞察与量产能力的终极考验。
在过往国产射频前端推出的历史中，国产射频前端厂商一般是等待国产厂商产品推出成熟，再做跟随开发，产品推出的时间一般晚2-3年。由此以来，既错过了宝贵的机会窗口，也失去了对客户最新方案支撑的价值。
在射频前端产品的开发中，慧智微采用了不同的技术路线。基于慧智微自主研发的可重构射频前端架构，单一硬件可以通过软件配置适配全球不同频段和模式，如同“软件定义无线电”的思想在射频前端芯片上的实现。
该底层技术荣获2022年“中国通信学会科学技术奖一等奖”，由邬贺铨院士担任主任委员的科技成果评价委员会认为“该技术达国际领先水平”。
对于高端/旗舰所需要的最新L-PAMiD产品，该技术的巨大价值在于：它通过有源区域的面积缩小及性能优化，在一定程度上绕过了传统射频架构对特定高端滤波器资源的绝对依赖，为整个中国射频产业在资源受限情况下，突破高端市场开辟了一条独辟蹊径且自主可控的新路径。由此实现产品突破，并与国际巨头的“同时同质”推出产品。
历史先声：2019年的首次“同时同质”突破
“同时同质”的能力，在慧智微并非首次展现。早在2019年，第一波5G商用浪潮袭来时，行业亟需支持5G新频段的L-PAMiF模组。慧智微便基于自主研发的可重构射频前端技术，与国际巨头同期，推出了高性能的5G L-PAMiF产品，在第一时间满足了头部客户的旗舰机需求，实现了国产射频前端在5G时代的首次高端突破，广泛量产应用于三星、OPPO等系列全球智能手机机型，当时便在业内引起巨大反响。
由于在射频前端领域实现的重大创新突破、填补国产空白，并代表我国集成电路产业发展的最高水平、具有显著经济效益。慧智微5G n77/79 L-PAMiF产品S55255获评2020年“中国芯”年度重大创新突破产品。
图：慧智微5G L-PAMiF产品获评2020年第十五届“中国芯”年度重大创新突破产品
2025年再突破：Phase 8L L-PAMiD的标杆意义
如今，随着5G技术迈向深水区，行业方案演进至更集成、更高效的Phase 8L L-PAMiD。它是一颗集成了PA、滤波器、开关等数十个元件的“系统级”芯片，单颗即可覆盖Sub-3GHzHz全频段，是打造纤薄高性能全球通5G旗舰手机的“心脏”。
图：全功能Phase8L L-PAMiD产品定义
在Sub-3GHz频段，从Phase5N分立方案到Phase8L L-PAMiD，集成度不断实现跨越。布板面积从Phase5N的240mm²，历经Phase7LE的130mm²，最终在Phase8L上实现了74mm²的极致压缩，面积仅为此前分立方案的近三分之一。这一演进历程，清晰印证了Phase8L作为当前前沿集成度代表L-PAMiD方案的领导力。
图：5G Phase5N方案与Phase7LE/Phase8L高集成模组方案的布板面积对比
慧智微不仅是此技术趋势的倡导和引领者，更是其首批发起者和量产实现者。公司成功量产的Phase 8L L-PAMiD模组，与国际厂商方案同步开发、同步推向市场：
性能同质：支持NSA/SA全功能与全球主流载波聚合，满足旗舰手机需求。
商业同步：产品已在多家头部安卓客户的高端/旗舰机型中量产出货，支撑客户最新射频方案需求。
在Phase8L方案中，技术挑战最大的是支持NSA/SA全功能与全球主流载波聚合。此技术需求需要在狭小的模组空间内，解决频段间的相互干扰、散热以及集成度等多项重要难题，是行业里的重要技术难点。
目前在国际上，仅有Qorvo可以做到全平台下的功能支持。而Qualcomm的产品需要自身平台配合才能实现完整支持，无法应用于MTK等其他平台；Skyworks产品仅支持单载波，无法支持旗舰手机需求的全球主流载波聚合以及NSA/SA全功能。
面对以上难点，慧智微利用可重构技术架构，进行有源区域的高集成度设计。并合理布局，解决多载波的干扰与散热问题。同时，可重构技术实现的有源区域的减少，可以有更多空间进行滤波器的布局，解决了对滤波器的小型化依赖问题，可进行滤波器的完整集成。
图：Phase8L产品开发情况，慧智微产品可实现全平台、旗舰手机全功能覆盖
下图为慧智微S55051与国际厂商同类产品比较。国际厂商有源区面积较慧智微产品大40%左右。
图：慧智微S55051产品与其他竞品对比
得益于器件的优异性能，以及与国际厂商的同步推出，慧智微Phase8L产品S55051在多款旗舰手机中得以应用。
vivo于2025年上半年发布的旗舰机型X200s中搭载慧智微Phase8L L-PAMiD模组S55051进行设计，这款被业界称为“最强苹替”的机型，预售首日销量达上一代277%的纪录，成为2025年上半年最畅销的旗舰机型之一。
图：vivo X200s旗舰手机及拆机
根据中国电信终端研究测试中心发布的《2025年中国电信终端洞察报告》中显示，在102荐指标的完整综合测试下，vivo X200s手机取得3500-5000价位带5G性能第一名的成绩。进一步验证慧智微Phase8L L-PAMiD模组S55051的超强旗舰性能。
另外值得一提的是，在评测中取得5000元以上价位带第一名的旗舰手机vivo X200 Ultra，同样搭载慧智微产品，产品为5G n79 L-PAMiF。双旗舰5G性能评测均为第一名的表现，也证明了慧智微已充分具备高端旗舰手机射频方案的供应能力。
图：《2025年中国电信终端洞察报告》5G性能测试排名
正是由于慧智微在2025年最新高端/旗舰手机全功能Phase8L L-PAMiD的突破，慧智微获评2025年第二十届“中国芯”2025年“中国芯”优秀技术创新产品。
图：慧智微获评2025年第二十届“中国芯”2025年“中国芯”优秀技术创新产品
慧智微在最新射频前端方案的多次突破，这标志着慧智微的“同时同质”能力，已从单一产品点突破，升级为支撑业务增长的系统性实力。
能够持续实现“同时同质”突破，其根基在于慧智微自主研发的可重构射频前端架构。该技术可以拜托对国际厂商的路径依赖，开发具有性能优势的射频前端产品，并有效解决我国射频前端特定高端滤波器资源仍不充分的问题。这正是此次慧智微Phase 8L产品荣获“中国芯”奖项所肯定的核心技术创新价值。
三、展望与未来：从并行者到定义者的新征程
Skyworks与Qorvo的合并，是全球产业格局演进的一个节点。而慧智微Phase 8L 全功能L-PAMiD产品与国际厂商“同时同质”推出与规模量产，则标志着中国射频芯片产业进入了一个新阶段：中国企业已从技术的“跟跑者”成为市场的“并行者”，并正积蓄着定义未来的力量。
这一转变，其意义远超单一产品的成功。它意味着，一条以自主创新为基石、以市场验证为牵引的高端射频供应链已经打通。对于整个产业生态而言，一个更富弹性、更具深度的合作模式正在形成：终端客户获得了性能卓越、供应可靠的第二选择，极大增强了供应链安全与议价能力；上下游伙伴则看到了与国内领先企业协同创新、共同成长的全新机遇。
展望前路，挑战依然存在，但机遇的图景愈发清晰。在5G-A深化普及和6G前瞻研发布局的关键时期，高端射频核心器件的自主权，直接关系到我国在未来全球科技竞争中的话语权。慧智微的实践已然证明，通过持续的底层技术创新与开放的产业链协同，中国射频产业不仅能突破壁垒，更能参与乃至引领下一代技术标准的定义。
四、结语
一枚“中国芯”奖项，映照出的是中国射频产业从追随、并行到在未来实现引领的决心与能力。历史表明，每一次国际巨头的战略收缩，都为坚定的自主创新者让出了舞台。
慧智微以“同时同质”推出最新射频前端方案再次证明，慧智微是当下市场变局中关键的承接者，并已准备好，与全球产业伙伴一同，定义下一代射频前端的未来。
2、厦门士兰微项目总指挥：12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线今年底动工
据“投资厦门”公众号消息，厦门士兰微项目总指挥朱利荣日前透露，士兰集宏8英寸（1英寸为2.54厘米）SiC功率器件芯片制造生产线项目，目前已进入收尾验收阶段。总投资200亿元的新项目也已经启动前期工作。此外，新项目将建设12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线，一期计划于今年底动工。
10月18日，厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府、杭州士兰微电子股份有限公司在厦门签署《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目战略合作协议》，在厦门市海沧区投资建设一条对标国际领先水平、以IDM模式运营、拥有完全自主知识产权的12英寸高端模拟集成电路芯片生产线。
该项目规划总投资200亿元，计划分两期建设：一期投资规模100亿元，计划于2025年年底前开工建设，于2027年四季度初步通线并投产，2030年达产，形成年产24万片12英寸模拟集成电路芯片的生产能力。二期规划将在一期的基础上再投资100亿元。两期建设完成后，将在厦门市海沧区形成年产54万片12英寸高端模拟集成电路芯片的生产能力。
3、芯联集成发布全新碳化硅G2.0技术平台 重点覆盖新能源和AI数据中心电源
继SiC MOSFET在新能源汽车主驱领域实现快速上量应用后，AI数据中心电源正成为其下一个爆发式增长市场。
近日，芯联集成（688469.SH）发布全新碳化硅G2.0技术平台，采用了8英寸更先进制造技术，已达到全球领先水平。
该技术平台通过器件结构与工艺制程的双重优化，实现“高效率、高功率密度、高可靠”核心目标，全面覆盖电驱与电源两大核心应用场景，可广泛应用新能源汽车主驱、车载电源及AI数据中心电源等广阔市场。
在电驱领域，芯联集成碳化硅G2.0电驱版凭借更低导通损耗与优异开关软度，功率密度提升20%，可显著增强新能源汽车主驱系统动力输出与能效表现，为整车续航提升提供关键支撑。
在电源场景中，芯联集成碳化硅G2.0电源版针对性优化寄生电容设计，通过封装优化强化散热，开关损耗降低高达30%，兼具强化的动态可靠性设计，实现电源转换效率与系统功率密度大幅提升，完美适配SST、HVDC等AI数据中心电源及车载OBC电源需求。
未来，该平台将极大助力客户把握新能源电气化与AI算力建设双重机遇，构建领先的差异化竞争优势。
