搜索
普林芯驰“采用低压器件实现耐高压的D类功放电路及控制方法”专利获授权
5 小时前
/ 阅读约2分钟
来源：集微网
珠海普林芯驰取得采用低压器件实现耐高压的D类功放电路及控制方法专利，该电路包括多个模块，能减少电路损坏风险，降低芯片制造成本。
天眼查显示，珠海普林芯驰科技有限公司近日取得一项名为“采用低压器件实现耐高压的D类功放电路及控制方法”的专利，授权公告号为CN119543850B，授权公告日为2025年10月17日，申请日为2024年11月13日。
本发明公开了一种采用低压器件实现耐高压的D类功放电路及控制方法，该D类功放电路包括MOS管模块、非交叠控制模块、偏置电压产生模块、偏置电压缓冲模块、PMOS驱动控制模块和NMOS驱动控制模块；非交叠控制模块输出非交叠控制P信号和非交叠控制N信号；偏置电压产生模块用于产生PMOS功率管输出的偏置信号；偏置电压缓冲模块连接第二PMOS管的栅极，偏置电压缓冲模块用于将偏置信号电压转换为驱动电压信号，以控制第二PMOS管的栅极，并给PMOS驱动控制模块提供驱动控制信号；PMOS驱动控制模块用于对第一PMOS管进行栅极控制；NMOS驱动控制模块用于对第一NMOS管进行栅极控制。能够采用低压器件实现耐高压的D类功放，减少电路损坏风险，降低芯片制造成本。
