存储越缺,他越赚!黄仁勋直言:短缺是极好消息
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来源:集微网
英伟达执行长黄仁勋称存储短缺是极好消息,因客户会倾向选择最强方案。英伟达新平台需更多存储,对存储厂扩产表示支持。业界认为英伟达不受缺货涨价影响,全力扫货。

外媒报导,英伟达执行长黄仁勋表示,存储供给短缺,对英伟达是「极好的消息(fantastic for us)」,可以让客户直接选择性能最强的解决方案。他更对存储厂喊话:「产能扩多少,我们(英伟达)就会用多少」。

业界认为,黄仁勋的谈话,意味英伟达不受存储缺货涨价影响,仍全力扫货,也为存储产业景气强力背书,其出发点应是为了英伟达即将问世的最新Vera Rubin平台需要更多存储预作准备。随着英伟达全力冲刺新平台,鸿海(2317)、广达(2382)、纬创(3231)等代工厂后市同步喊冲。

科技媒体PCWORLD报导,黄仁勋在摩根士丹利科技大会上表示,随资源供给受限,客户会更谨慎选择零组件,且更会倾向于直接选择最强的解决方案,以存储来说更是如此。

黄仁勋说明,在一个充满限制的情况下,不论是资料中心、土地、电力及建筑都有限,「你就会对选择更加谨慎。」

黄仁勋更直接对存储厂喊话:「DRAM厂尽管去扩产,因为扩增产能多少,我们(英伟达)就会用掉多少产能。」

业界指出,英伟达的AI芯片方案对存储用量极大,以GB300为例,支援的高频宽存储(HBM)容量就高达288GB,比GB200的192GB高出许多。

随着英伟达AI平台即将跨入Vera Rubin世代,支援HBM容量虽然维持288GB,但必须推进到HBM4。然而,HBM4发展至16层堆叠,比前一代HBM3E的12层堆叠更高,其产能自然耗损率也会比HBM3E高,消耗存储量会更庞大,将使得DRAM供给短缺更趋严重。

即便三星、SK海力士及美光等全球三大DRAM厂都已经开始扩产,然而业界指出,目前三大DRAM厂扩增的产能主要聚焦HBM及企业用DRAM,至少一年内消费性DRAM供给短缺情况仍旧无解,而且HBM及资料中心用LPDDR4与LPDDR5、新世代DDR6价格可能将持续看涨。

法人看好,英伟达持续扩大备货存储,冲刺新世代AI平台商机,鸿海、广达、纬创等伙伴接单动能也将持续升温。