1. 首次单季营收破30亿美元！中芯国际二季度环比增20%

2. 多场景扩容与多技术并行：磁传感器产业迎来黄金发展期

3. 味之素削减30% ABF膜供货：中国大陆算力芯片供应链的“断供”冲击与国产替代窗口

4. 长鑫市值超腾讯：硬科技崛起，芯片正成新的“点击量”

5.DeepSeek V4 Pro正式版和Harness预览版上线

6. 微软关闭15家在华企业，AI业务成最后生机

1. 首次单季营收破30亿美元！中芯国际二季度环比增20%

2026年8月13日晚，中国大陆晶圆代工龙头厂中芯国际发布2026年第二季度财报，单季销售收入首次突破30亿美元，环比增长20%，同比增长36.1%，毛利率为25.3%，均超过一季度指引。

财报详解 晶圆出货量再创新高

中芯国际第二季度按应用分类，收入占比分别为：智能手机16.9%、计算机与平板15.6%、消费电子44.2%、互联与可穿戴6.8%、工业与汽车占比持续提升至16.5%。纵观各地区的营收贡献占比，来自中国区的营收占比提升至90.2%；美国区的占比为8.2%，欧亚区占比为1.6%。

按晶圆尺寸分类，第二季度12英寸晶圆营收占比为78.2%，8英寸晶圆营收占比为21.8%。从产能方面来看，中芯国际月产能由2026年第一季度的107.825万片折合8英寸标准逻辑增加至2026年第二季度的109.65万片折合8英寸标准逻辑。第二季度销售晶圆达286.95万片折合8英寸标准逻辑，同比增长20.1%；产能利用率保持高位达93.7%。

2026年第二季度中芯国际资本开支为18.357亿美元，研究及开发开支增加至20.85亿美元。

Q3营收持续增长 毛利率指引26%-28%

中芯国际管理层表示，二季度，公司整体实现销售收入30亿美元，环比增长20%；毛利率为25.3%，环比增加5.2个百分点。三季度，收入预计环比增长2%到4%，毛利率指引为26%-28%。

展望下半年，人工智能产生的产业推动与溢出效应还将持续，为集成电路制造带来广泛的需求。公司灵活调配已有产能，快速验证新增产能，帮助缓解产业链紧缺局面。总体来说，我们对行业走向和公司发展保持乐观看法。

2.多场景扩容与多技术并行：磁传感器产业迎来黄金发展期

作为现代电子系统的核心感知基础器件，磁传感器是实现电流、角度、位置、速度精准检测的关键元件，广泛渗透于汽车、能源、工业、消费电子等国民经济核心领域。随着新能源汽车电动化渗透率持续提升、光伏储能向2000V高压平台迭代、工业自动化与机器人产业加速升级，以及具身智能、智能穿戴等新兴场景的爆发，磁传感器正迎来多场景扩容、多技术路线并行演进的黄金发展期。

值得关注的是，近日纳芯微（NOVOSENSE）联合Yole Group举办磁传感器市场技术分享及新品发布活动。在活动中，Yole Group MEMS与传感业务高级技术与市场分析师Pierre-Marie Visse表示，近年来中国厂商的市场份额与技术话语权正快速提升。纳芯微（NOVOSENSE）2025年磁传感器出货量全球份额已达约8%，位列全球出货量Top4。而在中国庞大的市场应用推动下，中国企业的市占份额有望取得更大增长。未来，如何把握市场机会，突破高价值市场，是中国企业取得进一步发展的关键。

从33亿到43亿美元：赛道扩容与中国厂商份额提升

根据Yole Group最新发布的《Magnetic Sensors 2026》报告，全球磁传感器市场规模预计将从2025年的约33亿美元增长至2031年的约43亿美元，年均复合增长率约为4.5%。“这意味着这个市场会存在很多的机会，”Pierre-Marie Visse表示，汽车仍是磁传感器最大的应用市场，而工业和医疗应用的增速相对更快。

从应用结构来看，汽车电气化是驱动市场增长的核心引擎。随着全球环保意识增强，各国政府推动汽车制造商向电动化转型，MHEV、FHEV、PHEV、BEV等不同电动化车型均需要大量电流传感器，主要应用于牵引逆变器、OBC、DC-DC等电力电子单元。Pierre-Marie Visse指出，总体来看，汽车电动化仍将持续为磁电流传感器创造广阔的市场机会。

工业市场是第二大应用市场，基础设施应用中需要大量电流传感器、开关和锁存器，按收入计算，工业磁传感器市场预计将以约6%的年复合增长率增长。人形机器人被视为极具潜力的新兴市场，每一个关节自由度都需要角度传感器，同时系统电源管理也需要电流传感器，TMR技术在尺寸、功耗和带宽方面的优势使其成为该场景的理想选择。

消费电子市场同样稳中有进。电子罗盘、光学防抖、可折叠设备开合检测、游戏控制器等应用持续创造需求，目前接近90%的智能手机已搭载电子罗盘。医疗领域虽然目前规模最小，但连续血糖监测（CGM）等应用正快速崛起。对于CGM等电池供电设备，TMR凭借良好的性能、低功耗和小尺寸，是磁开关的理想技术选择，也更易集成于高度小型化的医疗设备。目前已有多家厂商布局该领域。

值得关注的是，中国厂商在全球竞争格局中的地位正在快速提升。根据Yole统计，纳芯微（NOVOSENSE）2025年磁传感器出货量全球份额已达约8%，位列全球出货量Top4、中国厂商第一。Pierre-Marie Visse分析指出，从出货量维度看，中国厂商的表现尤为突出，这与中国庞大的新能源汽车、工业、消费电子市场应用直接相关。他同时观察到，历史上磁传感器企业以欧美厂商为主，而现在越来越多的中国企业开始在这个领域崭露头角，特别是在TMR和霍尔（Hall）技术路线上，中国生态正在持续快速发展。

磁传感器技术发展：多路线并行的战略必要性

在技术上，磁传感器呈现多技术路线并行演进的格局，Hall、xMR（AMR/GMR/TMR）、磁通门、电感式等技术路线各有其优势与市场空间。Pierre-Marie Visse在分享中对各技术路线进行了系统比较：Hall技术目前最为成熟，成本效益最佳，在多数场景下表现良好；AMR技术成本相对较低，信噪比表现较好，但无法实现360度全向感知，热稳定性也相对有限；GMR技术主要用于汽车轮速检测；TMR 技术则具有很高的灵敏度，可减少额外信号放大环节，较小的芯片面积也有助于实现低功耗，但其对杂散磁场的抗扰能力相对有限，这也是部分主机厂仍在观望的原因。

“不同技术路线不是简单替代关系，而是针对精度、成本、功耗、应用场景、安装结构和环境适应性形成互补，”谢奔在分享中强调。在他看来，Hall技术是性价比之选，主要面向中低精度、成本敏感的大规模应用场景，如工业消费类开关、电流传感器等；AMR定位为对灵敏度和响应速度有更高要求的中端市场，如低功耗民用表计、高精度工业编码器、ABS轮速传感器等；TMR是目前灵敏度最高、综合性能最出色的磁传感器技术，面向对精度和功耗有极致要求的高端应用，如超低功耗开关、高端工业编码器等。

此外，磁通门技术定位高端、专业的超精密微弱磁场测量，适用于漏电流检测、闭环高精度电流传感器等场景；GaAs等化合物半导体本质上是Hall技术的材料升级，用于满足硅基Hall无法覆盖的高温、高频、大电流等特殊需求；电感式技术则不依赖磁性材料，适合在恶劣环境下进行稳健的位移和位置测量。

对于中国企业而言，多技术路线布局具有战略必要性。谢奔在采访中表示，磁传感器不同技术路线各有其适用场景和性能优势，汽车、工业、消费电子等不同市场的客户需求差异显著，单一技术路线难以覆盖所有应用场景。只有具备多技术路线的产品能力，才能针对不同系统需求提供最合适的检测方案，这也是本土厂商在与国际巨头竞争中建立综合优势的基础。纳芯微的技术投入始终围绕明确的产品目标和市场需求展开，坚持以应用驱动产品定义。

六大品类×三大市场：纳芯微全矩阵布局

经过多年积累与产业整合，纳芯微已构建起覆盖多技术、全品类的磁传感器产品矩阵。2024年底，纳芯微完成对国内磁传感器芯片厂商麦歌恩的全资收购，随着双方产品、技术和市场资源的逐步整合，纳芯微磁传感器业务在2025年和2026年继续实现较大幅度增长。目前，纳芯微磁传感器累计出货量已超过20亿颗，其中2025年单年出货量突破10亿颗。

从产品品类看，纳芯微磁传感器分为六大类别：开关与锁存器、电流传感器、角度编码器、线性位置传感器、速度传感器，以及传感器信号调理芯片。其中，开关与锁存器作为功能最基础、应用最广泛的品类，纳芯微已布局Hall、AMR、TMR等多技术路线，提供三线、两线接口，覆盖单输出、双输出（速度+方向）以及多轴检测等不同需求，广泛应用于汽车座椅、天窗、尾门、泵类控制、安全带卡扣，以及工业家电控制、门磁检测、液位检测等场景。

电流传感器是纳芯微近年来增长较快的产品线之一，分为集成式和线性两大方向。集成式电流传感器采用内置载流导体，PCB贴装方式检测，量程覆盖数安培至±400A；线性电流传感器则可配合C型磁芯、U型聚磁或无磁芯结构，适用于模组、电驱等大电流场景。角度编码器领域，纳芯微提供平面霍尔、3D霍尔、AMR及电感式等多元技术选择，面向汽车阀门、电机、换挡器、车身高度，以及工业伺服、机器人关节等应用。速度传感器方面，基于AMR技术的完整汽车轮速传感器系列，可兼容不同协议，主要应用于ABS系统。此外，纳芯微还发挥信号链技术积累，提供针对Hall、AMR、TMR等不同敏感单元的信号调理芯片。

在技术平台层面，纳芯微已形成覆盖Hall、xMR（AMR/TMR）、电感式、磁通门等多种原理的完整磁传感技术平台，并具备信号调理ASIC、封装与集成、校准与测试等全链条能力，技术丰富水平已比肩国际厂商。

市场覆盖方面，纳芯微磁传感器已在汽车、工业、消费电子三大核心市场形成全面布局。汽车领域覆盖车身、热管理、动力总成、底盘四大系统，从门窗座椅等舒适系统到电驱、BMS、OBC等核心三电系统，再到EPS、ABS、主动悬架等底盘安全系统；工业领域覆盖光伏储能、伺服电机、工厂自动化、AGV、工业无人机等场景；消费电子领域覆盖白色家电、小家电、智能家居、可穿戴设备、游戏外设等应用。

值得注意的是，多技术路线布局并不意味着盲目追求技术路线的全面性。谢奔强调，纳芯微更关注不同技术是能否满足系统需求，技术路线本身并不是唯一的出发点。以GMR为例，其多层结构、检测方向、工作磁场范围与TMR较为接近并无显著差异，而TMR在信噪比、灵敏度等方面甚至更具优势，绝大多数系统需求都可以通过AMR和TMR覆盖，未来只有特殊功能需求，比如多圈功能才会考虑布局GMR技术。这种以系统需求为导向、有所为有所不为的技术路线选择，正是中国企业在资源有限条件下实现快速追赶的关键路径。

四款新品齐发：瞄准新增长点完善产品矩阵

本次活动中，纳芯微（NOVOSENSE）围绕电流检测、角度检测（运动控制需求）、位置传感等细分领域发布四款新品，瞄准当前市场新的增长点，进一步完善了磁传感器的产品矩阵。

其中，NSM2051是面向2000V高压平台的超宽体集成式电流传感器。随着光伏和储能系统加速向2000V高压平台演进，系统对电流传感器的隔离能力提出了更高要求。传统宽体产品爬电距离通常约8mm，而NSM2051通过创新封装设计，将爬电距离和电气间隙提升至15mm，基本绝缘工作电压可达2800VDC或2000Vrms，可满足2000V高压母线系统的绝缘设计需求。

谢奔介绍，在此类应用中，传统方案主要采用体积较大的电流传感器模块，通常为通孔安装，无法SMT贴装，BOM成本和生产复杂度都较高。NSM2051以紧凑的PCB贴装方案替代大尺寸霍尔模块，封装高度仅数毫米，传统模块高度接近20mm，可显著节省PCB空间。性能方面，NSM2051按高精度系列设计，全温度范围内灵敏度误差小于1%、零点误差小于1mV，相比传统2%-3%精度的模块有明显提升。

电流传感器NSM2025采用集成U型聚磁结构，可将垂直方向的磁场转换为芯片可检测的水平磁场，直接贴装在主控板上即可完成电驱系统等场景的电流检测。产品全温精度约1.5%，信号带宽约270kHz，典型响应时间2μs，工作温度范围-40℃至150℃，适用于新能源汽车电机逆变器、光伏逆变器、BMS、开关电源及过流检测等应用。该产品进一步完善了纳芯微在C型磁芯、U型聚磁、无磁芯三大线性电流检测方案上的布局，客户可根据电流范围、安装空间、抗干扰能力和成本要求灵活选择。

NSM350x是本次发布的重磅产品之一，也是国产首款基于霍尔双码道游标算法的离轴单圈绝对值磁编码器。电机轴或减速机轴可从磁环中心穿过，不占用轴心空间，特别适合机器人关节中空走线以及安装空间受限的结构。产品提供1.28mm、1.5mm、2.0mm三种磁间距选择，外码道支持16、32、64对极，采用差分霍尔结构提升抗杂散磁场能力。绝对角度分辨率最高可达22bit，通过简洁自校准，典型精度可达到 ±0.3°；通过匀速自校准，精度可达到 ±0.1°。

随着NSM350x系列发布，纳芯微成为国内首家同时拥有磁感应与电涡流感应两种技术路线双码道游标算法编码器产品的芯片企业。谢奔指出，相较于光学编码器，磁编码器采用非接触式检测，不存在机械磨损、光衰或码盘物理破损问题，对机械冲击、粉尘等恶劣环境的适应性更强，在机器人等对体积、可靠性和成本敏感的场景中优势显著。纳芯微将提供demo板、编程工具、应用视频、编程文档和应用笔记等完整开发支持，帮助客户快速完成产品使用、调试和自校准。

NSM903x是一款采用3D霍尔技术的三轴线性位置传感器，通过平面霍尔与垂直霍尔集成，可同时输出X、Y、Z三个方向的磁感应强度，芯片内部集成CORDIC运算完成360°角度解算，并支持3D或角度开关模式。产品支持低功耗工作模式、中断功能和I²C接口，可选磁场量程覆盖±400—2400Gs，适用于游戏手柄摇杆三维运动检测、智能穿戴设备、表冠、位置开关等空间受限的紧凑结构，为不需要高精度编码器的应用提供具有成本优势的三轴位置与角度检测方案。

值得关注的是，NSM903x共享了纳芯微在车规和工业平台积累的设计、校准、补偿、测试及可靠性能力，同时针对消费市场重新优化了成本、功耗和尺寸。谢奔认为，消费电子芯片市场的机会正从“量的扩张”转向“质的升级”，将车规级“极致可靠”的设计理念和“严苛验证”的质量体系引入消费电子，有望推动消费产品在可靠性、安全性、稳定性上实现代际跃升。

从量到质：中国企业走向高价值攻坚

展望未来，磁传感器在多个应用市场的发展前景广阔。汽车领域，随着电动化深化和线控底盘（线控制动、线控转向）逐步落地，位置传感器、速度传感器、电流传感器的需求量将持续增长；工业领域，人形机器人、伺服系统、新能源基础设施将成为核心驱动力；医疗领域，连续血糖监测等应用正快速放量；消费电子领域，AR/VR、游戏外设、可穿戴设备、可折叠产品不断催生新的检测需求。技术演进方向上，更高集成度、更高精度、更小尺寸是明确趋势，在机器人灵巧手等有限空间场景中，集成式方案将更具性价比。这些领域在中国庞大的市场应用需求驱动下，中国厂商都有着极大的成长空间。

然而，中国磁传感器产业在快速发展的同时，在高价值市场仍有进一步提升空间。Pierre-Marie Visse在采访中直言，中国厂商虽然在出货量上表现突出，但ASP（平均售价）相对较低，消费类等低价格产品占比较高，而汽车和工业等ASP更高的高价值市场仍有较大突破空间。谢奔指出：“中国厂商在高端磁传感器市场的突破，是一场涉及技术、产业、市场等多方面的持久战。”

技术层面，国际厂商通过高精度磁传感芯片的专利积累和信号处理算法形成了较高的技术壁垒，国内厂商在敏感单元、信号调理、温度补偿等核心技术积累上仍有差距，产品在精度、稳定性、一致性、寿命等关键指标上与国际先进水平存在距离；应用层面，国际厂商依托与头部客户的多年深度合作，积累了深厚的系统及方案经验，更容易参与系统架构的前期定义，以先发优势推出面向未来的产品；市场层面，车规等高端产品认证周期长、客户信任度建立慢，国际巨头已与客户深度绑定，后来者进入供应链的门槛极高，用户对缺乏长期运行数据的国产产品可靠性仍存疑虑。

针对这些挑战，纳芯微（NOVOSENSE）的发展路径提供了一种可参考的中国方案。首先是从系统需求出发的产品定义。作为系统级芯片厂商，纳芯微结合MCU、接口、驱动等产品线，有机会在项目早期深入参与系统交流，比单一磁传感器供应商更能理解完整系统需求，从而做出更精准的产品定义。其次是按照高壁垒市场标准推进全生命周期质量管理，无论是质量体系建设还是供应链选择，都对标行业第一梯队标准，产品从IPD流程中的定义、开发到市场推广全程保持高水准。第三是通过规模化量产与深度供应链合作保障产能和供货稳定，以敏捷的服务、高性价比的产品、庞大的本土市场以及对供应链安全的战略诉求为支点，逐步拓展汽车、工业等高价值市场。

从全球产业格局看，磁传感器市场正处于技术路线迭代与应用场景爆发的交汇期。中国厂商凭借本土市场优势、快速响应能力和系统级理解能力，已在出货量维度跻身全球第一梯队。未来，随着在核心技术、高端产品、车规认证和系统方案能力上的持续积累，中国磁传感器产业有望完成从“量的领先”到“质的突破”的跨越，在全球高价值市场中占据更重要的位置。

3. 味之素削减30% ABF膜供货：中国大陆算力芯片供应链的“断供”冲击与国产替代窗口

2026年8月，日本味之素（Ajinomoto）突然告知中国大陆客户，将削减30%的ABF膜（Ajinomoto Build-up Film）供货量。作为全球ABF膜市场份额高达95%的绝对垄断者，味之素此举直接冲击中国IC载板及下游算力芯片封装产业链。本文基于公开产业链信息，系统分析此次削减供货对中国大陆客户的短期冲击、中长期影响以及国产替代的真实进度。

一、事件背景：一家“味精厂”如何卡住全球芯片封装

ABF膜是高端CPU、GPU、FPGA、ASIC等芯片封装基板（IC载板）的核心绝缘材料，约占载板BOM成本的30%。该材料由味之素在20世纪90年代基于味精生产副产品研发，1996年与英特尔合作推进实用化，1999年开始量产。此后30年，味之素凭借专利壁垒和先发技术认证体系，占据全球ABF膜95%以上份额，几乎处于绝对垄断地位。

2026年二季度，味之素ABF膜月产能200万平方米以上已实现满产。然而，味之素的新增扩产计划要到2028年才启动，第三座工厂预计2032年才能竣工投产。在产能刚性约束和AI需求爆发双重挤压下，味之素选择优先保障日本本土及核心客户，削减中国大陆市场30%供货量。

二、需求端：AI芯片正以前所未有的速度拉爆ABF膜需求

2.1 载板层数翻倍，单芯片用量激增

传统PC芯片所需ABF载板层数为4至6层，而高端AI芯片已攀升至8至16层。同时，AI芯片载板面积大幅增加，单颗芯片ABF材料消耗量较传统芯片提升约5至10倍。日本基板厂商揖斐电（Ibiden）预测，GPU/ASIC出货量将从2025年的略超1500万颗增至2028年的3000万颗，基板面积从80×80mm增至110×110mm，层数从9+9增至12+12。

图表：传统PC芯片 vs 高端AI芯片ABF载板层数对比

2.2 供需缺口持续扩大

据行业数据，ABF载板供需缺口将在2026年下半年达到10%，2027年扩大至21%，2028年进一步升至42%。摩根士丹利更将2030年全球高端ABF基板供需缺口预测值从此前的15%大幅上调至22%。

图表：全球高端ABF膜供需缺口预测（2026-2028）

2.3 量价齐升的结构性变化

2025年味之素下游结构中，服务器领域占比超30%，网络通信与5G占比约30%，其余为汽车电子与消费电子。单价方面，低端应用约20美元/平方米，AI相关应用达30至40美元/平方米。AI需求不仅贡献增量，也系统性推升产品均价。味之素FY25财年ABF膜收入约1007亿日元（约6.8亿美元），利润率高达54.2%。

图表：味之素ABF膜下游应用结构（2025年）

三、对中国大陆客户的影响分析

3.1 短期冲击：IC载板厂面临直接断供风险

中国大陆ABF膜国产化率不足5%，本土IC载板企业对味之素供应高度依赖。30%的供货削减意味着本土载板厂将面临严重的原料短缺，直接影响深南电路、兴森科技、胜宏电子等头部企业的ABF载板产能。ABF膜交期已超过6个月并开始涨价，味之素同时通知2026年第三季度执行新定价，最高涨幅可达30%。成本上升与供应收缩叠加，将压缩本土载板厂利润空间。

3.2 中游传导：算力芯片封装产能受限

ABF载板是CPU、GPU、AI ASIC等高算力芯片FCBGA封装的标配材料。供应短缺将传导至下游封测环节，影响国产AI芯片的封装产能。当前中国大陆正加速推进AI算力基础设施建设，国产AI芯片需求旺盛，ABF膜断供可能成为制约国产AI芯片出货的“卡脖子”环节。

3.3 战略层面：供应链安全警钟再响

虽然ABF膜目前未受美国出口管制限制，但一家外国企业几乎控制一种不可或缺材料的供应，这一事实已引起高度关注。味之素削减供货的决定，无论是基于产能分配的商业考量还是地缘政治因素，都暴露了中国大陆半导体产业链在关键材料环节的脆弱性。此次事件将进一步强化中国大陆推进半导体材料自主可控的战略决心。

3.4 价格与竞争格局重塑

供货削减叠加涨价，将推高中国大陆IC载板厂的制造成本。在国产ABF膜尚未规模化量产的过渡期，中国大陆载板厂在与日韩及中国台湾竞争对手的成本竞争中处于不利地位。深南电路等国产头部载板厂虽加速扩产ABF载板，但本土纯内资产能占比仅约4%，短期内难以填补供应缺口。

四、国产替代的真实进度与壁垒

4.1 国产企业多路出击

图表：国产ABF膜替代企业进展对比

华正新材： 研发CBF膜（与ABF膜实质相同，命名差异源于规避专利）多年，年产能300万平米，已在本土主要IC载板厂商深南电路、兴森科技等验证通过，终端通过昇腾验证并实现小批量供货。公司在青山湖工业园区建设CBF研发中心和产线，已实现杭州工厂批量订单交付能力。

激智科技： 利用扩散膜涂布工艺与ABF膜生产流程的相似性，已出样品，内部测试性能与味之素产品差异不大，计划8月启动送样，先从二三线载板厂送测。

莲花控股： 通过收购深圳纽菲斯46%股权切入类ABF膜赛道，年产2万吨ABF膜项目已立项，满产后可支撑约1.2亿片高端载板。但纽菲斯2025年营收仅650万元，净利润亏损超3000万元，在16层以上超高阶堆叠、HBM配套领域与味之素仍存在代差。

天承科技： 配合载板厂和绝缘膜厂研发ABF材料SAP制程沉铜药水，目前处于中试阶段。

4.2 五重壁垒拉长替代周期

尽管国产企业已取得阶段性突破，但从“能用”到“好用”仍面临系统性难题：

材料体系壁垒： 除核心树脂外，球形硅微粉填料的分散控制、配方配伍直接影响热膨胀系数、介电损耗和力学性能，需大量试错积累。

成膜工艺壁垒： 精密涂布、烘烤、热压决定薄膜厚度均匀性和表面粗糙度，影响后续mSAP线路制作良率，依赖长期产线运行经验。

工艺匹配壁垒： 膜材需与下游载板厂整套产线适配，不同厂商设备参数差异要求针对性调试，每拓展一家新客户都需重新磨合。

专利壁垒： 味之素在全球布局上千项相关专利，国产企业需做差异化设计规避侵权，增加研发难度和时间成本。

可靠性认证壁垒： IC载板厂和封测厂对材料导入极为谨慎，完整验证周期通常需1至3年，须完成冷热循环、湿热老化、长期电性等大量测试。即便样品性能达标，批次一致性和长期工作条件下的介电稳定性才是最大门槛，HBM场景对一致性要求极为苛刻。

五、结论与展望

味之素削减30% ABF膜供货，对中国大陆客户而言既是严峻挑战，也是国产替代加速的催化剂。短期来看，国产IC载板厂将面临原料短缺和成本上升的双重压力，算力芯片封装产能可能受到制约。中长期来看，此次事件将倒逼国产ABF膜加速导入，华正新材等已实现小批量供货的企业有望率先受益。

然而，必须清醒认识到，国产ABF膜从“小批量验证”到“规模化量产” 仍需跨越多重壁垒，完整验证周期长达1至3年。在HBM等高端场景，国产材料与国际巨头仍存在实质性代差。因此，未来2至3年是ABF膜国产替代的关键窗口期，国产企业能否在材料配方、成膜工艺、批次一致性等核心技术上实现突破，将决定中国大陆算力芯片供应链能否真正摆脱“卡脖子”困境。

4. 长鑫市值超腾讯：硬科技崛起，芯片正成新的“点击量”

8月13日，长鑫科技市值约3.54万亿元，首次超越腾讯约3.44万亿元。长鑫上半年归母净利润预超500亿元，同比增长超22倍，腾讯净利润增速降至0.7%。市值易位折射中国产业估值逻辑从“流量变现”转向“硬科技自主可控”。

1. 芯片正成新的“点击量”： 长鑫市值超腾讯，标志着资本市场定价重心从互联网流量转向硬核制造。

2. 芯片概念股群体崛起： 以长鑫、长江存储、中芯国际、北方华创、中微公司、寒武纪、豪威股份等为代表的企业，其营收与盈利正成为中国立足全球的基础与保障。

3. 价值本质不同： 互联网巨头领先是应用层软实力，芯片集群崛起是底层硬实力，后者决定国家产业安全边界。

事件与财务对比

8月13日，长鑫科技（688825.SH）收盘市值约3.54万亿元，腾讯控股（00700.HK）约3.44万亿元，长鑫首次登顶中国AH股。

长鑫从2023年亏损163亿元到2026年Q1单季盈利247.6亿元，DRAM全球份额7.7%、增速行业第一。腾讯因AI资本开支暴增176%，自由现金流首次转负。

全球DRAM格局

长鑫是大陆唯一DRAM规模化量产IDM企业，填补了国产DRAM长期空白。2026年全球存储市场预计达3772亿美元，DRAM价格已涨80%-90%。长鑫Q1综合毛利率40.99%，高于三星和美光，仅次于SK海力士。

图表：全球DRAM市场份额分布（2026年Q1）

三星、SK海力士、美光合计占全球DRAM市场90%以上份额，长鑫以约7.7%稳居第四，但环比增速115.1%远超三巨头。

价值与意义

作为全球制造大国，中国半导体产业正从“点状突破”迈向“体系化推进”。长鑫、长江存储、中芯国际、北方华创、中微公司、寒武纪、豪威股份等企业构成芯片概念股集群，覆盖存储、制造、设备、AI芯片、CIS等关键环节。

这一集群的崛起，与互联网巨头领先有着本质区别：互联网创造应用层价值，芯片集群构筑底层产业安全。长鑫IPO募资295亿元中220亿元用于设备采购，直接拉动国产半导体设备与材料产业链。中国DRAM自给率已达26%，NAND达43%，从“完全依赖进口”迈入“规模化自主供给”。长鑫已进入联想、小米、阿里云、字节跳动、腾讯等头部厂商供应链，腾讯通过北京峰益持股约1.5%。

AI算力爆发窗口下，存储正从“配角”变“主角”。Allspring Global Investments投资组合经理Gary Tan指出：“长鑫科技市值超过腾讯释放了一个信号：芯片正在成为新的‘点击量’。随着智能体AI在互联网流量中的占比提升，芯片与互联网平台之间的市值差距可能进一步扩大。”腾讯2026年上半年资本开支累计847亿元，其中相当部分用于购买DRAM等存储产品，长鑫正是重要的国产供应商。长鑫的崛起，为中国AI算力基础设施建设提供了底层的供应链安全保障。

过去二十多年，腾讯、阿里等互联网巨头市值长期占据中国上市公司前列。长鑫市值登顶，标志着资本市场开始为“硬核制造”赋予更高溢价。长鑫IPO从受理到过会仅用不到7个月，长江存储等企业也在加速IPO进程，“中国存储双雄”格局正在形成。

结论

长鑫市值超腾讯，是中国产业升级方向的资本投票——从流量变现到硬核制造。以芯片概念股集群为代表的硬科技崛起，无论从营收还是盈利，都将成为中国未来立足全球的基础与保障。这场变革才刚刚开始。

5.DeepSeek V4 Pro正式版和Harness预览版上线

8月13日，DeepSeek宣布DeepSeek V4 Pro正式版上线，目前已同步更新至APP、网页端和API。用户可在APP及网页端通过“专家模式”使用V4 Pro正式版，API模型名保持不变。

据DeepSeek介绍，此次正式版重点增强了Agent能力，尤其针对生产环境进行了性能优化。对于公开基准测试集中的Code Agent任务，DeepSeek-V4-Pro-0813采用DeepSeek Harness极简模式进行测试，测试设置为max档位、topp=0.95、temperature=1.0。DeepSeek同时提示，在其他框架下测试结果可能存在差异。

API方面，DeepSeek API现已原生支持OpenAI Responses API格式，并针对Codex进行了适配。开发者可通过官方提供的一键配置脚本完成Codex配置。

与此同时，V4-Pro和V4-Flash的思考模式新增不同强度设置，支持low、high、max三档。其中，low主要面向简单任务，high用于日常Agent任务，max则面向复杂任务场景，开发者可根据任务复杂度调整相应档位。

随着DeepSeek V4系列正式版上线，其API价格也将调整。DeepSeek宣布采用峰谷定价机制，闲时价格为高峰时段的一半，新价格将于北京时间8月17日0时正式生效。

8月13日，DeepSeek宣布，DeepSeek Harness开发者预览版（v0.1）正式面向全球开发者开放测试，并同步以MIT协议开源。该项目采用插件式开放架构，模型、工具、技能、会话、沙箱、存储、调度及UI等Agent能力均可通过插件进行组合和替换。

DeepSeek Harness的核心设计原则是“一切皆插件”。其底层基于Cordis插件系统构建，Cordis元框架主要负责插件加载、卸载及依赖关系管理，Agent Harness中的具体组件则以不同插件形式运行，并通过服务与事件进行协作。

按照DeepSeek公布的信息，开发者无需直接修改DeepSeek Harness源码，即可通过插件独立替换或扩展模型、工具、技能等能力，并在配置层进行组合。

DeepSeek Harness目前提供四种运行模式，分别为标准模式、PTC模式、极简模式和创造模式。其中，标准模式提供完整工具组合；PTC模式通过模型生成代码组合多轮工具调用；极简模式仅保留Shell工具和文件编辑工具，用于最小环境下的模型基准测试；创造模式则允许检查当前运行时，并在内存中试验Cordis插件和组合新的运行模式。

在运行记录方面，DeepSeek Harness采用仅追加的会话日志设计。系统提示词、思维链、工具调用及结果、子Agent调度和上下文注入等运行信息均会写入会话日志，开发者可通过Trajectory视图按来源查看。恢复、分叉、检索和回放等功能也基于同一事件流运行。

目前，已经安装Node.js开发工具链的用户，可通过npx @deepseek-ai/dsh web启动DeepSeek Harness Web UI；项目完整源码也已开放。DeepSeek表示，v0.1仍属于早期预览版本，核心插件与基础接口后续还将继续迭代。

6. 微软关闭15家在华企业，AI业务成最后生机

微软公司文件显示，在过去五年里，微软至少关闭了15家在中国的分支机构和合资企业，并且正在推行内部人士所说的“撤退战略”。

消息人士表示，微软曾考虑在2023年退出中国市场，因为一些高管认为，微软承担了过多的地缘政治风险，而经济回报却微乎其微。但消息人士同时强调，微软目前没有退出中国的计划。微软在2024年表示，中国市场仅占其全球收入的1.5%。

据知情人士透露，微软最终决定留在中国，是因为它已经开辟了一项盈利的业务，为字节跳动等中国企业提供服务，这些企业需要西方技术来管理海外业务。知情人士还表示，微软认为，为了继续获得中国世界一流的工程人才，它还需要在华保持业务存在。

微软发言人表示，微软的运营环境“适用于所有国际供应商”，并且公司仍然致力于中国市场。其在中国的业务状况反映了市场竞争、监管要求和技术趋势。

内部人士透露，字节跳动和超快时尚零售商Shein等公司拥有服务西方客户的关键业务，并依赖微软的Azure云平台来管理数据，以符合外国法规。微软还通过Azure为中国企业客户提供独家访问权限，让他们能够使用来自OpenAI等的AI模型。

知情人士表示，到2020年代中期，帮助中国企业走向全球已成为微软在中国最大的业务。但这部分销售额占比仍然很小。

自20世纪90年代以来，微软在构建中国科技人才库方面发挥了核心作用。

除了招聘商业工程师外，微软还成立了微软中国研究院，专注于先进技术。但美国对芯片和人工智能模型的出口管制限制了微软中国工程师获取尖端技术的途径。微软总裁布拉德·史密斯此前表示，公司在中国不进行量子计算和其他敏感技术的研究。

微软曾考虑关闭中国实验室，但最终决定将部分顶尖人才迁往海外。自美国开始限制人工智能出口以来，微软中国研究院（现更名为微软亚洲研究院）已在温哥华、新加坡和东京开设了实验室。

然而，微软一直难以说服开发人员离开中国。消息人士称，微软在2024年向1000名顶尖工程师提供了迁往美国和其他三个西方国家的方案，但只有约三分之一的人接受了。许多资深工程师选择前往中国高校和科技公司，在那里他们可以从事顶尖研究，同时又能与家人保持密切联系。