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美国实验室研发新型激光技术，有望大幅提升芯片制造效率
2025-01-06
美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室正在研发基于铥元素的拍瓦级激光技术，该技术有望将光刻效率提高十倍，并解决当前极紫外光刻系统的高能耗问题。名为“大口径铥激光”的这项技术，通过提高等离子体到 EUV 光的转换效率及采用固态激光技术，有望为超越 EUV 光刻系统奠定基础。然而，将其应用于半导体生产还需克服基础设施改造的重大挑战。
