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三星HBM4内存进入试生产阶段：计划2025年底量产

2025-01-06

三星DS部门已完成HBM4内存逻辑芯片设计，Foundry业务部正采用4nm技术试产。HBM4内存性能大幅提升，单个堆栈带宽高达1.6TB/s，预计将于2025年下半年量产。

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