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中国科大在垂直型GaN功率晶体管研究方向取得重要进展

2025-01-08

中国科大杨树教授和龙世兵教授课题组在垂直型GaN功率晶体管研究上取得进展，成功实现高反型沟道迁移率的垂直型GaN沟槽栅MISFET。该成果有望提升功率转换效率，拓展GaN器件的电压和功率等级。

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