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美国开发新一代BAT激光器：可“超越EUV”，光刻效率提升10倍
2025-01-08
美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）正在研发基于铥元素的拍瓦级激光器，其效率据称比极紫外光刻（EUV）设备中使用的二氧化碳激光器高出10倍，有望在未来取代光刻系统中的二氧化碳激光器。这一技术突破有望重塑芯片制造流程，特别是解决EUV系统高能耗的难题，为新一代“超越EUV”的光刻系统铺平道路。LLNL的“大口径铥激光”（BAT）技术采用掺铥氟化钇锂作为激光增益介质，理论上可以高效地输出拍瓦级、超短激光脉冲，平均功率达数百千瓦，远超目前同类激光器水平。
