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消息称美光将加入16-Hi HBM3E竞争，已在进行最终设备评估
2025-01-16
DRAM内存巨头美光宣布将加入16-Hi HBM3E内存竞争，目前正在进行最终设备评估，并计划在2025年内实现量产。16-Hi HBM3E内存采用16层堆叠技术，能提供更高的数据传输速率和能效比，满足高性能计算需求。美光的加入将进一步推动内存技术创新和市场竞争。
