搜索
华虹宏力“降低栅源电容的方法”专利公布
2025-01-17
上海华虹宏力半导体制造有限公司近日公布了一项名为“降低栅源电容的方法”的专利，申请公布号为CN119108271A，公布日期为2024年12月（注：原文中的公布日可能有误，因参考文章均提及申请日期为2024年8月，而公开或公布通常晚于申请日）。该专利旨在通过创新工艺降低栅源电容，晶圆级测试显示其输入电容值较现有技术工艺下降约10%。
