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华虹宏力“沟槽栅的制造方法”专利获授权
2025-01-20
上海华虹宏力半导体制造有限公司近日取得一项名为“沟槽栅的制造方法”的专利，授权公告号为CN114220734B，该专利的申请日期为2021年12月13日，并于2024年12月10日公告授权。该专利的取得进一步展示了华虹宏力在半导体制造领域的创新能力。
