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利用等离子体刻蚀技术 硅垂直通道蚀刻效率提高100%
2025-02-05
科学家们携手研发出一种新型蚀刻工艺，利用氟化氢等离子体将硅材料垂直通道的蚀刻效率翻倍，仅需1分钟即可完成640纳米的蚀刻。该工艺在氧化硅和氮化硅交替层上打孔，并将分层材料暴露于等离子体中。通过结合三氟化磷等化学材料，工艺可进一步优化。同时，加入适量水能有效解决副产品影响。这些创新有望为3D NAND闪存技术带来更先进的制造工艺，提升存储密度，降低成本，并加快数据传输速度。
