泰科天润“一种超结快恢复平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法”专利公布
2025-04-24

泰科天润半导体科技(北京)有限公司公布了一项名为“一种超结快恢复平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法”的专利,申请公布号为CN119584570A,公布日期为2025年3月7日。该专利通过创新的制备方法,在器件内部构建了超结结构,提高了耐压能力,并构建了肖特基二极管,降低了反向恢复时间,实现了快恢复。