氮氧化镓(GaOxNy)是一种介于晶态与非晶态间的化合物,其物化性质可通过调整制备条件在氮化镓(GaN)与氧化镓(Ga2O3)间连续变化。该材料兼具宽禁带半导体特性与功能设计灵活性,在功率电子、紫外光电器件及光电催化等领域具有独特优势。