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三星分享最新存储路线图

2025-05-24

三星回顾了DRAM单元的多年演变历程。在1990年代，平面n沟道MOS FET是DRAM单元选择晶体管的标准。但进入21世纪后，短沟道效应和关断漏电流问题日益凸显。为此，业界设计出一种新型晶体管结构，能在不缩短沟道长度的前提下实现横向微型化，并应用于DRAM单元晶体管。随着光刻技术持续进步，DRAM单元面积得以不断缩小。

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