格芯计划投资160亿美元增强美国半导体制造和封装能力,其中130亿美元用于扩建纽约和佛蒙特州的设施,30亿美元用于高级研发。此次投资旨在满足AI增长带来的高能效、高带宽半导体需求,利用其在FD-SOI制程、硅光子技术及氮化镓电源解决方案上的优势。