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中国科大在二维同质结精准合成及器件应用方面取得重要进展
6 天前
中国科学技术大学宋礼教授团队近日提出了一项原位晶畴工程精准合成的新技术，该技术突破了传统外延生长中对二维材料本征缺陷构型和分布控制的难题，成功实现了单层二硫化钨横向同质结的可控化学气相直接外延生长。6月13日，相关研究成果以《Growth of Monolayer WS2 Lateral Homojunctions via In Situ Domain Engineering》为题，发表在国际知名学术期刊《美国化学会志》上。这一创新方法有望为二维材料的研究和应用开辟新的道路。
