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LG电子启动混合键合设备开发目标2028年实现大规模量产

6 天前

LG电子生产技术研究所已启动混合键合设备开发，计划2028年大规模量产。该技术采用无凸块铜-铜键合，旨在构建16层以上HBM内存堆栈，通过缩小DRAM芯片间距，提升堆叠层数并降低发热。

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