搜索
微电子所在GaN外延位错传导载流子及其导致功率电子器件可靠性退化机制取得重要进展
2025-07-18
氮化镓（GaN）基电子器件凭借高频、高效、耐高温及抗辐射等特性，成为下一代高效电力电子与射频电子系统的关键支撑。在5G/6G通信、智能消费电子等领域，GaN基器件已展现出显著优势。然而，这些器件主要基于异质外延材料制作，由于外延衬底与GaN基外延层间存在严重的晶格失配和热失配，导致高密度线性位错（约10⁸ cm⁻²），远高于Si和SiC等材料。螺位错、刃位错及其混合位错是GaN基异质外延中的主要位错类型，这些位错会引发漏电问题，影响器件性能。
