搜索
Advanced Materials：西电集成电路学部联合武汉大学在宽禁带半导体材料领域取得突破性进展
2025-07-18
西安电子科技大学郝跃教授团队的张进成教授和宁静教授，携手武汉大学何军教授团队，在宽禁带半导体材料领域取得重大突破。他们成功开发出一种名为范德华极化工程异质集成方法（PEVIS）的新技术。该成果以《Van der Waals integration of 4-inch single-crystalline III-nitride semiconductors》为题，在顶级材料科学期刊《Advanced Materials》（中科院I区TOP期刊，影响因子26.8）上发表。论文通讯作者为西安电子科技大学集成电路学部的张进成教授。
