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中国科学院氮化镓外延层中位错辅助的电子和空穴传输研究取得进展
2025-07-23
中国科学院微电子研究所携手多家科研机构及企业，包括中国科学院半导体研究所、北京大学、香港科技大学、剑桥大学、武汉大学和苏州能讯高能半导体有限公司，共同揭示了GaN异质外延中螺位错和刃位错对GaN基功率电子器件关键可靠性——动态导通电阻退化的影响机制。研究团队构建了‘双通道位错输运’模型，明确指出，在GaN外延层中，螺位错和刃位错分别作为电子与空穴的独立传输通道，对器件的漏电和动态电阻退化产生相反效应。
