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北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心在IEEE ISPSD发表2项宽禁带半导体功率器件重要技术进展
2025-08-01
近日，功率半导体器件领域的顶级学术会议IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs（ISPSD）在日本熊本市成功举办。北京大学集成电路学院的两篇高水平论文成功入选，向国际同行展示了北京大学在功率器件与功率集成电路领域的最新研究成果。这两篇论文分别聚焦于GaN CMOS集成技术以及SiC MOSFET可靠性物理研究。第一篇论文探讨了GaN CMOS集成技术，该技术有望在高频、高功率密度应用和恶劣环境下展现出巨大潜力。第二篇论文则深入研究了SiC MOSFET的可靠性物理，对于提升SiC基功率器件在高压、高频功率系统中的应用具有重要意义。这些研究成果不仅体现了北京大学在功率半导体器件领域的深厚积累，也为推动该领域的进一步发展贡献了中国智慧。
