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苏州纳米所纳米加工平台在β-Ga2O3垂直功率器件方面取得新进展
2 天前
超宽禁带半导体氧化镓（β-Ga2O3）作为一种战略性先进电子材料，因其具备8 MV/cm的超高击穿场强及大尺寸熔体生长的独特优势，正成为后摩尔时代功率电子器件领域的颠覆性力量。垂直结构功率电子器件通过优化纵向耐压层设计，可在单位芯片面积内实现万伏级高耐压与千安级超大通流能力，满足智能电网、新能源汽车、工业电机驱动、数据中心电源及可再生能源（光伏、风电）变流器等领域对超高功率密度、高效率和小型化的迫切需求。
