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俄罗斯国产光刻机路线图曝光：三步走、2036年前完成EUV
2 天前
俄罗斯计算机与数据科学博士Dmitrii Kuznetsov近日公布了俄罗斯国产极紫外（EUV）光刻设备的长期研发路线图。该设备工作波长为11.2纳米，项目周期从2026年开始，初期采用40纳米制造技术，计划到2037年实现亚10纳米制程工艺。路线图分为三个阶段：第一阶段（2026-2028年）研发支持40纳米制程的光刻机，配备双反射镜物镜，套刻精度达10纳米；第二阶段（2029-2032年）推出支持28纳米制程（可升级至14纳米）的扫描光刻机，采用四反射镜光学系统，套刻精度提升至5纳米；第三阶段（2033-2036年）目标实现亚10纳米制程生产，采用六反射镜配置，套刻精度达2纳米。该方案采用混合固态激光器、基于氙气等离子体的光源，以及由钌和铍制成的反射镜，与ASML设备架构不同，可降低维护需求和系统复杂度。预计设备分辨率可覆盖65纳米至9纳米范围，单位成本结构显著低于ASML平台。但该计划可执行性仍不明确，需实现对整个行业的技术跨越，且可能不会用于商业用途。
