近日,清华大学精密仪器系孙洪波、白本锋教授团队提出新方法,利用飞秒激光在半导体材料表面制备红外超宽带面源黑体。该方法通过飞秒激光与材料的能量负反馈和热激发机制,首次实现一步工艺在半导体表面稳定制备跨尺度结构,并实现深能级调控,形成具备超宽带、耐高温、高均匀、抗脱落特性的超高发射率面源黑体,可在恶劣环境下提供稳定校准精度,拓展红外探测适用范围。