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西安交大材料创新设计中心（CAID）研发的“无漂移相变存储材料”在《自然—材料》发表
10 小时前
2025年10月1日，西安交通大学材料创新设计中心（CAID）团队在《自然—材料》发表题为《无电阻漂移的非晶相变存储材料》的研究论文。相变存储器利用硫族化合物非晶相与晶体相的电阻差异实现数据存储，但传统材料（如商用锗锑碲合金GST）的非晶相电阻值会随时间漂移，影响多值编程精度及边缘端应用适配性。研究团队通过原子尺度机理分析，发现电阻漂移源于非晶局部结构缺陷密度及派尔斯畸变程度的时空演化。基于此，团队设计出局部结构为完美八面体的铬碲非晶合金CrTe3，其结构弛豫极弱且不引发能带变化，从根本上消除了电阻漂移。实验证实，CrTe3薄膜在-200至165摄氏度宽温区无电阻漂移，器件经十万次操作后性能稳定。团队还通过光控电测实现多值存储，并开发出基于CrTe3阵列的智能小车，其自动寻址功能在150摄氏度下1小时后仍可复现。该成果为高精度相变类脑器件提供了关键材料，第一作者为王晓哲博士、王若冰博士与孙苏阳博士，通讯作者为王疆靖教授、马恩教授与张伟教授，西安交通大学为第一及唯一通讯作者单位。论文链接：https://www.nature.com/articles/s41563-025-02361-0。
