2025年11月4日,在韩国首尔举行的SK集团AI峰会上,SK海力士公布了其2026至2031年的存储技术路线图。该计划包括推出16层堆叠的HBM4内存、LPDDR6和400+层堆叠NAND等新产品。SK海力士还明确了三大核心发展方向:低功耗高性能的AI-D O、集成计算能力的AI-D B以及扩展应用领域的AI-D E。此外,公司还计划将协议和控制器集成到HBM基础裸片中,以降低能耗并提升计算单元空间。