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三星加速导入1c DRAM 设备 力争明年初量产HBM4
2 周前
三星正加速导入10纳米级第六代DRAM设备，计划明年初量产HBM4，以追赶SK海力士。目前已在平泽园区完成设备建置，预计明年下半年出货。不过，三星面临良率提升的挑战，若良率能达70%以上，即可实现量产。此举与辉达AI加速器的推出相呼应，展现了三星在市场竞争中的决心，有望巩固其高端存储器市场地位。
