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铠侠岩手县晶圆厂明年将生产332层NAND芯片，瞄准AI数据中心需求
2025-12-11
日本芯片制造商铠侠计划于2026年，在岩手县晶圆厂启动第十代332层NAND闪存芯片的生产。该芯片采用CBA技术，层数增至322层，位密度提升59%，支持4.8Gbps接口速率，旨在满足AI数据中心对海量数据存储与计算的需求。
