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中国科学院在氮化镓低压射频器件领域取得新进展
2 小时前
近年来，5G通信在移动终端领域的应用不断深化，对低压高性能射频功率放大器（PA）的需求愈发迫切。氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借高电子饱和速率和优异的二维电子气（2DEG）输运特性，成为实现高性能射频前端的理想器件。但常规GaN器件膝点电压较高，限制了其在低压条件下的射频输出性能。国际上通常采用强极化异质结（如InAlN/GaN、AlN/GaN等）和“深度缩放”工艺路线来解决这一问题，不过这对加工精度要求较高。
