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Intel首次展示ZAM原型：功耗爆降50% 秒杀现有HBM内存
1 天前
Intel首次公开展示ZAM（Z角内存）原型，该技术由Intel与软银旗下子公司Saimemory联合开发，单芯片最高容量达512GB，功耗较主流HBM内存降低40%至50%，旨在打破HBM的垄断。ZAM采用交错互连拓扑结构实现芯片堆叠内部的对角线“Z字形”布线，结合铜-铜混合键合技术，实现高效芯片层间融合。同时，无电容设计与Intel成熟的EMIB互连技术，既实现了与AI芯片的高速连接，又大幅降低芯片热阻。该技术预计2027财年完成原型开发，2029财年实现商业化，有望为AI数据中心提供低能耗、高容量的内存解决方案。
