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英特尔 ZAM 内存原型首秀：功耗暴降 50%，单芯片 512GB
1 天前
在Intel Connection Japan 2026活动上，英特尔首次展示了与软银子公司Saimemory合作开发的“Z-Angle Memory”（ZAM）内存原型。Saimemory成立于2024年12月，并于2025年6月全面投入运营，专注于存储器业务。英特尔政府技术首席技术官Joshua Fryman与英特尔日本首席执行官大野诚共同出席了此次发布活动。ZAM技术的核心在于其“Z-Angle”架构，该架构采用错位互连拓扑结构，有效解决了散热瓶颈问题，并优化了计算性能。据营销资料介绍，ZAM的性能可与HBM相媲美甚至超越，功耗降低40%至50%，单芯片存储容量最高可达512GB。
