二维半导体因其原子级厚度和独特光电特性,成为下一代光电子器件的关键候选材料。其层间通过范德华力结合,单层可剥离并垂直堆叠成人工异质结构。这种结构能融合各层激子特性,并通过改变层间扭转角度产生新型激子态。此外,控制发光方向对半导体发光器件至关重要。通常,定向发光需光学谐振与发光介质近场相互作用,将光辐射至远场。但二维半导体自身缺乏光学谐振,需依赖外部光学谐振腔集成。