紫外光电探测器是感知和转换紫外光信号的核心元件,在航空航天、防灾减灾和生态监控等领域具有战略价值。氮化镓(GaN)材料因其3.4 eV的宽禁带和直接带隙结构,成为制造高性能紫外探测器的理想材料。然而,受限于材料缺陷和传统器件设计,现有的GaN基金属-半导体-金属(MSM)和PIN型探测器存在响应度低、紫外-可见截止比小、响应速度慢和暗电流高等问题,限制了其在瞬态光信号捕获和高精度计量等尖端领域的应用。