搜索
消息称三星电子将停产2DNAND 闪存，原有产线用于1c nm DRAM内存制程
4 小时前
据TheElec报道，三星电子计划最早于今年3月停止在其华城园区12号生产线生产2D NAND闪存，标志着其2D NAND闪存时代的终结。尽管三星早在2013年就已实现3D NAND（V-NAND）的量产，但仍保留了小规模2D NAND产能，以满足特殊利基市场需求。未来，华城12号生产线将转用于1c nm DRAM内存制造，负责后端金属布线和表面处理工艺。
