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三星电子拟增大DRAM尺寸以提升HBM4性能
5 小时前
据报道，三星电子正集中精力提升1c DRAM良率，并抢占HBM4市场份额。为此，三星决定增大第六代10nm级DRAM芯片尺寸，以提升DRAM和HBM4的稳定性。目前，三星1c DRAM良率已超80%，HBM4良率接近60%，并计划进一步扩大产能。
