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中国科学院上海微系统所在钽酸锂-氮化硅异质集成光子芯片方面取得进展
15 小时前
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所欧欣研究员团队，联合瑞士洛桑联邦理工学院Tobias J. Kippenberg教授团队和德国卡尔斯鲁厄理工学院Christian Koos教授团队，在薄膜钽酸锂（LiTaO3，LT）与氮化硅（Si3N4）光子芯片的晶圆级异质集成方面取得重要进展。研究团队构建出兼具低光学损耗和线性电光（Pockels）调制的新型光电平台，实现了高效、高速电光调制，调制效率达4.08 V·cm，电光响应3dB带宽约100 GHz。在高速通信演示中，强度调制（IMDD）下净信号传输速率达333 Gbit/s，相干IQ调制下净信号传输速率达581 Gbit/s。该研究为现有氮化硅光子平台补齐了高速电光调制能力，为面向高速互连、RF光子与模拟信号处理的片上光学系统提供了可大规模化的新工艺路线。相关成果已发表在国际学术期刊《自然·通信》上。
